发明名称 半导体电路元件及其制造的方法
摘要 一种半导体电路元件系包括:一基底;一半导体电路,形成于该基底之上表面上;以及一连接部份,其形成于该基底之一侧表面上,且该连接部份系电性连接至该半导体电路。
申请公布号 TW525283 申请公布日期 2003.03.21
申请号 TW090110588 申请日期 2001.05.03
申请人 爱德万测试股份有限公司 发明人 江面 知彦;铃木 纯一
分类号 H01L23/50 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种半导体电路元件,包括:一基底;一半导体电路,形成于该基底之上表面上,其中该半导体电路系为具有一半导体元件的电路;以及一连接部份,其形成于该基底之一侧表面上,且该连接部份系电性连接至该半导体电路,其中该连接部份具有一形成于一凹槽上之一下部份,该凹槽系形成于该基底之该侧表面上。2.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该连接部份具有位于该基底之该上表面上之一上部份。3.如申请专利范围第2项所述之半导体电路元件,其中该连接部份之该上部份系电性连接至该半导体电路。4.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中:该连接部份更具有位于该基底之该上表面上之一上部份;以及该连接部份之该上部份系电性连接至该半导体电路。5.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该下部份系形成于该凹槽之整个表面上。6.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该下部份系形成于该凹槽之部份表面上。7.如申请专利范围第5项所述之半导体电路元件,其中该下部份系形成于面对该基底之该上部份之底表面上。8.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该凹槽系由一底表面通过该基底之一顶表面而形成于该基底之侧表面上。9.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该连接部份之该上部份系由与不同于该连接部份之该下部份之材质所形成。10.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该连接部份系形成于该基底之复数个侧表面上。11.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中复数个该连接部份系以既定间隔而形成于该基底之该侧表面上。12.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该连接部份之该下部份系由金所形成。13.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该半导体电路元件之该连接部份系电性连接至形成于另一半导体电路元件之一侧表面上之另一连接部份。14.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该凹槽具有半圆柱形。15.如申请专利范围第1项所述之半导体电路元件,其中该凹槽具有半圆锥形。16.如申请专利范围第4项所述之半导体电路元件,其中该上部份之面积系大于接触至该上部份之该下部份之面积。17.一种半导体电路元件,包括:一第一半导体电路元件,其包括:一第一基底;一第一半导体电路,形成于该第一基底之上表面上;以及一第一连接部份,其形成于该第一基底之一侧表面上,且该第一连接部份系电性连接至该第一半导体电路;以及一第二半导体电路元件,其包括:一第二基底;一第二半导体电路,形成于该第二基底之上表面上;以及一第二连接部份,其形成于该第二基底之一侧表面上,且该第二连接部份系电性连接至该第二半导体电路;其中:该第一连接部份与该第二连接部份系彼此电性连接。18.如申请专利范围第17项所述之半导体电路元件,其中:该第一半导体电路元件之该第一基底之该侧表面与该第二半导体电路元件之该第二基底之该侧表面系彼此接触,使得该第一连接部份与该第二连接部份系彼此电性连接。19.如申请专利范围第17项所述之半导体电路元件,其中:该第一连接部份系形成于位于该第一基底之该侧表面内之一第一凹槽上;该第二连接部份系形成于位于该第二基底之该侧表面内之一第二凹槽上;当该第一连接部份与该第二连接部份系彼此接触时,该第一凹槽与该第二凹槽系由一导电材质所填满。20.如申请专利范围第17项所述之半导体电路元件,其中:该第一基底具有一下凹部份,其中安置有该第二半导体电路元件,且该第一连接部份系形成于该下凹部份之一侧表面上;以及该第一半导体电路元件之该第一连接部份与该第二半导体电路元件之该第二连接部份系彼此电性连接。21.一种制造一半导体电路元件之方法,包括:形成一第一连接部份于一基底之一上表面上;形成一孔洞,其该基底之一底表面通过该上表面,使得面对于该上表面之该孔洞之一尾端系由该第一连接部份所覆盖;藉由形成一导电材质于该孔洞之一表面与面对该孔洞之该第一连接部份之一底表面上而形成一第二连接部份;以及切割该基底,使得该第一连接部份与该第二连接部份之一部份系沿着该基底之一切割表面而露出。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中形成该孔洞系形成该孔洞于半圆柱形。23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中形成该孔洞系形成该孔洞于半圆锥形。24.如申请专利范围第21项所述之方法,其中形成该第一连接部份系形成该第一连接部份使得该第一连接部份之面积变得大于接触于该第一连接部份之该第二连接部份之面积。图式简单说明:第1图绘示传统半导体电路元件20之上视图。第2图绘示本发明之较佳实施例之半导体电路元件10之上视图。第3A与3B图显示形成于基板70之侧表面72a上之连接部份30之架构。第4图显示连接部份30之架构之另一实施例。第5A与5B图显示连接部份30之架构之另一实施例。第6图显示具有复数个半导体电路元件10a,10b,10c与10d之复合半导体电路元件100。第7A与7B图显示复合半导体电路元件之另一实施例之平面架构图。第8A与8B图显示连接部份30a与30b之剖面图。第9A~9E图显示第2与3图中所示之半导体电路元件10之制程。
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