半导体器件及其制造方法

摘要

按照这样一种方式形成一个工作半导体层，使得该无定形硅层形成为具有一个宽区域和一个窄区域，并且该窄区域相对于宽区域位置不对称地连接到该宽区域，并且在作为热保持层的多晶硅层隔着氧化硅层从侧面包住该窄区域的状态下，通过把连续波激光束从宽区域向窄区域扫描，而使该无定形硅层结晶。

主权项

1.一种半导体器件，其中包括：基片；以及被构图形成在所述基片上的工作半导体层，其中该工作半导体层被整形，使得宽区域和窄区域相互连接；宽区域处于具有较大晶粒的流型状态，以及在该流型中的晶粒边界的方向被形成为不与窄区域的纵向方向相平行；以及该窄区域基本上处于单晶状态。