发明名称 | 高密度等离子体化学汽相淀积设备 | ||
摘要 | 一种高密度等离子体化学汽相淀积(HDP-CVD)设备,它包括:一个反应腔,它由一上部敞开的下腔体和一盖住下腔体上部的陶瓷圆顶构成;一根装在下腔体处的排气管;一个覆盖陶瓷圆顶外壁的射频(RF)线圈;一根喷气管,它从反应腔外面穿过陶瓷圆顶的边缘端部插入到陶瓷圆顶的壁中,被引导向陶瓷圆顶的中间部分,并在陶瓷圆顶的中间部分处伸出到反应腔的内部空间中;以及一个装在反应腔内部用来安放基板的基板支座。由于用于反应的气体被预先加热且是从反应腔的上方中间部分供应出来的,所以反应程度提高且可以在淀积过程主要进行之处的反应腔中心部分形成高密度等离子体。因此,淀积功效提高,且可无空隙地填满间隙。 | ||
申请公布号 | CN1403627A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
申请号 | CN02131978.2 | 申请日期 | 2002.08.30 |
申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 沈境植;李永锡;郑淳彬;李政范 |
分类号 | C23C16/50 | 主分类号 | C23C16/50 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 吴明华 |
主权项 | 1.一种高密度等离子体化学汽相淀积设备,它包括:一个反应腔,它由一个上部敞开的下腔体和一个盖住下腔体上部的陶瓷圆顶构成;一根装在下腔体处的排气管;一个安装成覆盖陶瓷圆顶外壁的射频线圈;一根喷气管,它从反应腔外面穿过陶瓷圆顶的边缘端部插入到陶瓷圆顶的壁中,被引导向陶瓷圆顶的中间部分,并在陶瓷圆顶的中间部分处伸出到反应腔的内部空间中;以及一个装在反应腔内部的基板支座,以安放基板。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |