| 发明名称 | 使用低介电常数膜的半导体装置的制造方法及晶片构造体 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体装置的制造方法中，在晶片上形成介电常数k的值不满3(k＜3)的第1的低介电常数膜，其边缘与沿晶片圆周的第1位置一致。其次，在第1低介电常数膜及晶片上形成气体透过率低于第1的低介电常数膜的第1保护膜，使得其边缘与上述第1位置外侧的第2位置一致。又，在第1保护膜上形成k＜3的第2的低介电常数膜，其边缘与上述第1位置一致。 | ||
| 申请公布号 | CN1404111A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
| 申请号 | CN02142635.X | 申请日期 | 2002.09.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 东和幸 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/768;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在晶片上形成第1低介电常数膜，且其边缘与沿晶片圆周的第1位置一致；在上述第1低介电常数膜及晶片上形成比上述第1低介电常数膜气体透过率更低的第1保护膜，并使得其边缘与比上述第1位置更外侧的第2位置一致；在上述第1保护膜上形成第2低介电常数膜，并使得其边缘与上述第1位置大体一致。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||