| 摘要 |
<p>Erfindungsgemäß wird eine photolithographische Maske zur Belichtung vonstrahlungsempfindlichen Resistschichten auf Halbleitersubstraten bereitgestellt,wobei die Maske zumindest ein strahlungsdurchlässiges Substrat und zumindesteine strahlungsundurchlässige Schicht oder/und zumindest eine Halbtonschichtaufweist. Mittels der strahlungsundurchlässigen Schicht oder/und der Halbtonschichtsind Hauptstrukturen vorgesehen, wobei die Hauptstrukturen so ausgebildet sind,daß das durch die Hauptstrukturen gebildete Muster bei einer Bestrahlung in dieResistschicht übertragen wird, und mittels der strahlungsundurchlässigen Schichtoder/und der Halbtonschicht sind Hilfsstrukturen vorgesehen, wobei die Hilfsstrukturenso ausgebildet sind, daß das durch die Hilfsstrukturen gebildete Muster bei einerBestrahlung nicht in die Resistschicht übertragen wird.</p> |
