| 主权项 |
1.一种形成内层电介质之方法,包含:提供一个具至少两条金属线(22)于其中之基板(20);提供一层于基板(20)与金属线(22)上之同型绝缘层(24);于同型绝缘层(24)上形成一层第二绝缘层(26),第二绝缘层(26)包含一个位于两条金属线(22)间之空穴(28);至少一个使第二绝缘层(30)薄型化与平坦化;及于第二绝缘层(30)上形成一层第三绝缘层(32)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中同型绝缘层(24)藉由化学气相沈积技术形成且包含氮化矽、二氧化矽,与氧氮化矽中至少一种。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第二绝缘层(30)与第三绝缘层(32)个别包含二氧化矽、氟掺杂矽玻璃、四乙烷基氧矽甲烷、磷矽玻璃、硼磷矽酸盐玻璃、旋涂玻璃,及低电介质常数聚合物材料中至少一种。4.一种形成具电介质常数约1之内层电介质的方法,包含:提供一个具至少两条金属线(22)于其中之基板(20);提供一层于基板(20)与金属线(22)上之同型氮化矽层(24),同型氮化矽层(24)具有大致上相同厚度约为250埃至5,000埃;于同型氮化矽层(24)上形成一层第一绝缘层(26),第一绝缘层(26)包含一个位于两条金属线(22)间之空穴(28);至少一个使第一绝缘层(30)薄型化与平坦化;及于第一绝缘层(30)上形成一层第二绝缘层(32)。5.一种内层电介质半导体结构,包含:一个具至少两条金属线(22)于其中之半导体基板(20);一层于半导体基板(20)与金属线(22)上之同型绝缘层(24),同型绝缘层(24)具有大致上相同厚度约为250埃至5,000埃;一层于同型绝缘层(24)上之第二绝缘层(30),第二绝缘层(30)包含一个位于两条金属线(22)间之空穴(28);及一层位于第二绝缘层(30)上之第三绝缘层(32)。6.如申请专利范围第5项之内层电介质半导体结构,其中空穴(28)包含空气与惰性气体中至少一种。7.如申请专利范围第5项之内层电介质半导体结构,其中同型绝缘层(24)包含氮化矽、二氧化矽、与氧氮化矽中至少一种。8.如申请专利范围第5项之内层电介质半导体结构,其中第二绝缘层(30)与第三绝缘层(32)个别包含二氧化矽、氟掺杂矽玻璃、四乙烷基氧矽甲烷、磷矽玻璃、硼磷矽酸盐玻璃、旋涂玻璃,及低电介质常数聚合物材料中至少一种。9.一种内层电介质半导体结构,包含:一个具至少两条金属线(22)于其中之半导体基板(20);一层于半导体基板(20)与金属线(22)上之同型氮化矽层(24),同型氮化矽层(24)具有大致上相同厚度约为1,000埃至3,000埃;一层于同型氮化矽层(24)上之第一绝缘层(30),第一绝缘层(30)包含一个位于两条金属线(22)间之空穴(28);及一层位于第一绝缘层(30)上厚度约为2,500埃至10,000之第二绝缘层(32)。10.如申请专利范围第9项之内层电介质半导体结构,其中金属线(22)包含铝、钨,与铜中至少一种,第一绝缘层(30)与第二绝缘层(32)个别包含二氧化矽、氟掺杂矽玻璃、四乙烷基氧矽甲烷、磷矽玻璃、硼磷矽酸盐玻璃、旋涂玻璃,及低电介质常数聚合物材料中至少一种。图式简单说明:第1图说明先前技艺内层电介质结构之横截面图示。第2图说明先前技艺内层电介质结构之横截面图示。第3图说明本发明内层电介质方法/结构之一个外观的横截面图示。第4图说明本发明内层电介质方法/结构之一个外观的横截面图示。第5图说明本发明内层电介质方法/结构之一个外观的横截面图示。第6图说明本发明内层电介质方法/结构之一个外观的横截面图示。第7图说明本发明内层电介质方法/结构之一个外观的横截面图示。 |
