| 主权项 |
1.一种积层系材料之雷射加工方法,系藉由雷射束来加工积层1个以上之导体层及绝缘层的积层材料的方法,其特征为包括:导体层加工步骤,照射雷射束于该导体层以形成加工孔;以及绝缘层加工步骤,接着该导体层加工步骤,将在加工点之光束直径比照射于该导体层的雷射束之光束直径更小的雷射束照射在上述加工孔,并加工积层于该导体层的绝缘层。2.一种积层材料之雷射加工方法,系于积层1个以上之导体层及绝缘层的积层材料,照射雷射束以进行穿孔加工的方法,其特征为包括:加热步骤,于该导体层中,预先加热藉由穿孔加工所去除的部分;以及加工步骤,于该加热步骤中所加热的部分照射雷射束以进行穿孔加工。3.如申请专利范围第2项之积层材料之雷射加工方法,其中,该加热步骤系藉由照射雷射束来进行。4.一种积层材料之雷射加工方法,包括由绝缘层及夹住其绝缘层的2个导体层所构成之积层部,于积层导体层及绝缘层的积层材料中,照射雷射束,以形成用来贯穿该积层部的贯穿孔之方法,其特征为包括:第1加工步骤,照射第1雷射束于该积层部之第1导体层以形成加工孔;第2加工步骤,接着该第1加工步骤,使该第1加工步骤之加工点的光束直径设定为一定,将比该第1雷射束峰値输出更低的第2雷射束,照射于藉由该第1加工步骤所形成的加工孔,以进行该积层部之绝缘层之加工;以及第3加工步骤,接着该第2加工步骤,使该第2加工步骤之加工点的光束直径设定为一定,将比该第1雷射束峰値输出更低,且比该第2雷射束峰値输出高的第3雷射束,照射于藉由该第2加工步骤所形成的加工孔,以进行该积层部之第2导体层之加工。5.一种积层材料之雷射加工方法,系照射雷射束于积层1个以上之导体层及绝缘层的积层材料,以形成用来贯穿该积层材的贯穿孔之方法,该积层材料之雷射束所出射侧之表面层系导体层,其包括有:在该表面层上形成雷射束吸收材料的步骤,以及形成用来贯穿该积层材料的贯穿孔之步骤。6.如申请专利范围第5项之积层材料之雷射加工方法,其中,该雷射束吸收材料为高分子材料。7.一种雷射加工装置,系照射雷射束于积层1个以上之导体层及绝缘层的积层材料,以进行加工之装置,其特征为具备有:雷射振荡器,可以出射不同峰値输出的复数个脉冲化之雷射束;开口,用来使从该雷射振荡器所出射的雷射束之一部分通过;光路变更光学系统,用来光路变更通过该开口的雷射束;成像透镜,用来成像该开口之像;以及控制部,用来控制该雷射振荡器、该开口、该光路变更光学系统、及该成像透镜之位置及动作;该控制部系使成像的像之大小成为可变者。8.如申请专利范围第7项之雷射加工装置,其中,在该开口及该光路变更光学系统间的光路中,更具备有使光路长度成为可变的光路长度可变光学系统,该控制部系控制该光路长度可变光学系统,使该开口及该成像透镜间的距离成为可变。9.如申请专利范围第7项之雷射加工装置,其中,在该开口及该光路变更光学系统间的光路中更具备反射镜,该控制部,系使该反射镜之反射面形状成为可变。10.如申请专利范围第9项之雷射加工装置,其中,该控制部,系使该反射镜之反射面形状成为旋转双曲面之一部分者。11.如申请专利范围第10项之雷射加工装置,其中,该控制部系藉由控制安装于该反射镜的压电元件,使该反镜镜之反射面形状成为可变者。12.如申请专利范围第7项之雷射加工装置,其中,该控制部系使该开口之开口径成为可变者。13.如申请专利范围第7项之雷射加工装置,其中,该控制部系使该成像透镜之焦点距离成为可变者。图式简单说明:第1图系本发明实施形态1之积层材料之雷射加工方法之制程图。第2图系于均匀的铜箔表面照射1个其脉冲宽度或1个脉冲之能量不同之雷射束的脉冲时,用来说明其雷射束之铜箔加工能力的图表。第3图系本发明实施形态2的积层材料之雷射加工方法的制程图。第4图系本发明实施形态2的积层材料之雷射加工装置的图。第5图系表示开口径连续可变光束光圈的图。第6图系本发明实施形态3的积层材料之雷射加工装置的图。第7图系表示成像光学系统之基本构成图。第8图系本实施形态4的积层材料之雷射加工装置的图。第9图系采用凸面镜及凹面镜时之成像光学系统之基本构成图。第10图系表示因反射镜之反射面形状造成反射方法之差异的图。第11图系第8图之雷射加工装置中所采用之反射面形状可变反射镜之构成图。第12图系本发明实施形态5的积层材料之雷射加工装置的图。第13图系表示由开口及透镜所产生的聚光状态的图。第14图系本发明实施形态6的积层材料之雷射加工装置的图。第15图系表示焦点距离可变复制透镜之构成图。第16图系本发明实施形态7的积层材料之雷射加工方法之制程图。第17图系本发明实施形态8的积层材料之雷射加工方法之制程图。第18图系表示铜对碳酸气雷射吸收率之温度依存性的图表。第19图系表示印刷电路板之剖视图。第20图系表示以习知之雷射加工形成贯穿孔之制程图。第21图系表示以习知之雷射加工形成贯穿孔之剖视图。 |
