发明名称 含氟化卤素之排气之处理方法,处理剂及处理装置
摘要 [课题]将含有氟化卤素的排气,并无因发热的温度上昇或因水之生成而处理筒闭塞等危险,极其有效率地加予处理。[解决手段],首先乃采用使氟化卤素和气成分的反应处理剂接触,接着再使其与卤素成分的反应处理剂接触的处理方法及处理剂,以及在具有内外筒双重筒构造的处理装置之内筒填充氟成分的反应处理剂,于外筒填充卤素成分的反应处理剂,且将含氟化卤素的排气供给内筒,再依从内筒至外筒的顺序使其流通后而从外筒排出之含氟化卤素排气的处理方法。
申请公布号 TW523491 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW088112989 申请日期 1999.07.30
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 大平学;鸟巢纯一;星野恭之;酒井雄二
分类号 C01B7/24 主分类号 C01B7/24
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种含氟化卤素的排气之处理方法,其特征为:先使氟化卤素与氟成分的反应处理剂接触,继而,使其与卤素成分的反应处理剂接触,其中该氟成分的反应处理剂包含硷土类金属的碳酸盐和金属氢氧化物,该卤素成分的反应处理剂包含硷金属的碳酸盐及/或碳酸氢盐。2.一种含氟化卤素的排气之处理方法,其特征为具有内筒和外筒双重筒构造之处理装置,于内筒填充氟成分的反应处理剂,在外筒填充卤素成分的反应处理剂,且将含氟化卤素之排气提供给内筒,使其依从内筒到外筒之顺序流通后而从外筒排出于外。3.一种申请专利范围第1项的含氟卤素排气之处理方法所使用的氟成分之反应处理剂,其特征为包含硷土类金属的碳酸盐和金属氢氧化物,其中硷土类金属的碳酸盐为碳酸钙及/或碳酸镁,而金属氢氧化物系由氢氧化钙、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铝中所选出的1种或2种以上者,且硷土类金属的碳酸盐和金属氢氧化物的含有比率以重量比计为1:1~99:1。4.一种申请专利范围第1项的含氟化卤素的排气之处理方法所使用的卤素成分之反应处理剂,其特征为:包含硷金属的碳酸盐及/或碳酸氢盐,其中硷金属的碳酸盐为碳酸钠及/或碳酸钾,硷金属的碳酸氢盐为碳酸氢钠及/或碳酸氢钾,而硷金属的碳酸盐及/或碳酸氢盐的含有率为60重量%以上。5.一种含氟化卤素排气之处理剂,其特征为系由申请专利范围第3项之氟成分的反应处理剂和申请专利范围第4项之卤素成分的反应处理剂所构成者。6.一种含氟卤素的排气之处理装置,其特征为:具有双重筒构造,内筒用于收容氟成分的反应处理剂,外筒用于收容卤素成分的反应处理剂;具有将排气导入内筒的入口,自内筒到外筒的排气通路以及从外筒将处理后之排气排出去的出口。7.如申请专利范围第6项的含氟卤素的排气之处理装置,其中内筒的氟成分处理剂和外筒的卤素成分处理剂之填充量比,以体积比计为1:0.5 ~ 1:3。图式简单说明:第1图系按照本发明的双重筒构造之处理装置之平面图及纵剖面图。第2图系实施例的处理筒。第3图系实施例双重筒构造之处理装置。第4图系表示实施例11的出口气体分析値之图表。第5图系表示实施例11的处理筒内温度之图表。第6图系表示实施例11的入口压力之图表。第7图系表示比较例2的出口气体分析値之图表。第8图系表示比较例2的处理筒内温度之图表。第9图系表示比较例2的入口压力之图表。
地址 日本