| 主权项 |
1.一种制造边缘发光之雷射晶片之方法,其中至少一种雷射晶片是在基板上形成,该雷射晶片包含一pn-接面,该方法包括下列步骤:提供该基板(A)一层状结构,包含至少一波导层(D),至少一进一步的掺杂层(E)生长于该波导层(D)上,其后,此一层状结构图案化,以于移除该层状结构部分(C)之后,提供每晶片一单独的波导(404),该波导终止,以于波导(D)两端的波导终端与雷射晶片的边缘留下一间隔(607),环绕波导四周侧面地对波导再生长至少一第一进一步的层(F),该至少第一进一步的层呈现一能隙,其大于波导之能隙。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为在成长波导层(D)之前,至少在该基板(A)上,成长第一掺杂层(B)。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该层状结构上,成长至少一上层(G)。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该第一进一步的层(F)是半透明的。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征为该层状结构是图案化的,如此于相同的基板上,形成几个包含一波导蚀刻的晶片,此一方法进一步包含提供完成之晶圆上用来分开晶片之构件的步骤。6.一种边缘发光之光晶片,其特征为其包含至少一基板,至少一第一掺杂层(B),其后于该第一掺杂层(B)上形成一波导(D),在该波导(D)上成长至少一进一步的掺杂层(E),每晶片有一分开的波导(402,602),该波导终止,以于波导两端的波导终端与雷射晶片的边缘,留下一间隔(407,607),一侧面地对着该波导的第一进一步的层(F),四面地环绕着该波导,该至少第一进一步的层呈现一能隙,其大于波导之能隙。7.根据申请专利范围第6项之晶片,其特征为该第一进一步的层(F),亦在其四周侧面地环绕着至少第一进一步的层(E)。8.根据申请专利范围第6或7项之晶片,其特征为该第一进一步的层(F),亦在四周侧面地环绕着沈积于至少第一进一步的层(E)的任何层。9.根据申请专利范围第6或7项之晶片,其特征为该第一进一步的层(F)是半透明的。图式简单说明:图1a显示一概图,其指出根据现有技艺制备如边缘发光之晶片的方式。图1b显示根据现有技艺之单晶片,其系图1a所示产品之结果。图2a显示根据现有技艺之法布里-珀罗(FP)雷射的透视图。图2b显示根据现有技艺之法布里-珀罗(FP)雷射的透视图。图3a显示根据现有技艺之分布反馈(DFB)雷射的透视图。图3b显示根据现有技艺之分布反馈(DFB)雷射的俯视图。图4a显示一概图,其指出根据本发明制备如边缘发光之晶片的方式。图4b显示根据本发明之单晶片,其系图4a所示产品之结果。图5a显示一概图,其指出根据本发明制备如边线发光之晶片的方式。图5b显示一概图,其系根据本发明,为晶片制备中的下一步骤。图6a显示根据本发明之分布反馈(DFB)雷射晶片的透视图。图6b显示根据本发明之分布反馈(DFB)雷射晶片的俯视图。 |
