Magnetische Dünnfilm-Speichervorrichtung mit Speicherzellen mit einem magnetischen Tunnelübergang

摘要

In einem magnetisch-resistiven Tunnelelement (100a) haben eine erste und zweite freie magnetische Schicht (103, 104) eine dem Speicherdatenwert entsprechende Magnetisierungsrichtung. Die erste und zweite magnetische Schicht sind mit einer zwischen ihnen liegenden Zwischenschicht (107) angeordnet. Die Zwischenschicht ist aus einem nichtmagnetischen Leiter ausgebildet. Im Datenschreibbetrieb wird der Zwischenschicht ein Datenschreibstrom mit einer dem Schreibdatenpegel entsprechenden Richtung zugeführt. Ein Magnetfeld, das durch den durch die Zwischenschicht fließenden Strom erzeugt wird, magnetisiert die erste und zweite freie magnetische Schicht in Form einer Schleife.