| 摘要 |
<p>Eine Struktur auf einer Schichtenoberfläche des Halbleiter-Wafers weist zumindest einen für elektromagnetische Strahlung reflektierenden ersten Flächenbereich (8,9) und zumindest einen zweiten, im Wesentlichen nicht reflektierenden Flächenbereich (10,11,12) auf. Auf diese Schichtenoberfläche wird eine lichtdurchläßige Isolationsschicht (13) und eine lichtempfindliche Schicht erzeugt. Die elektromagnetische Strahlung wird mit einem Einfallswinkel θ auf die lichtempfindliche Schicht gerichtet und die Struktur der Schichtenoberfläche mit einem lateralen Ersatz in die lichtempfindliche Schicht abgebildet.</p> |
