铁电电容及其制造方法和铁电存储单元制造方法

摘要

一种垂直铁电电容及其制造方法以及一种铁电存储单元的制造方法。首先在半导体基底上形成一层绝缘层，接着在绝缘层中形成平行的下电极开口与上电极开口，所形成开口的深度大于其宽度。然后在开口中填入导电材料，以形成两片垂直且平行平板状的下电极与上电极。之后去除下电极与上电极之间的部分绝缘层，在下电极与上电极之间形成开口，而后在下电极与上电极之间填入铁电层，形成具有垂直结构的铁电电容。

主权项

1.一种铁电电容的制造方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一绝缘层，且该绝缘层中形成垂直于所述半导体基底的一第一开口与一第二开口；在该第一开口与该第二开口中填入一导电材料，以形成一下电极与一上电极；去除该下电极与该上电极之间的部分该绝缘层；以及在该下电极与该上电极之间填入一铁电材料。