| 主权项 |
1.一种形成光阻图案的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一光阻层;进行一第一曝光制程,以使该光阻层形成一第一曝光区与一第一未曝光区;对该光阻层进行一第二曝光制程,以使该第一未曝光区内形成一第二曝光区;以及进行一显影制程,以形成图案化之该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中该光阻层包括正光阻。3.如申请专利范围第2项所述之形成光阻图案的方法,其中该显影制程包括移除该第一曝光区以及该第二曝光区以形成图案化之该光阻层。4.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中该光阻层包括负光阻。5.如申请专利范围第4项所述之形成光阻图案的方法,其中该显影制程包括移除未曝光之该光阻层,以使该第一曝光区以及该第二曝光区形成图案化之该光阻层。6.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中该第一曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。7.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中该第二曝光制程之光源系选自氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。8.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中该第二曝光制程的曝光量小于该第一曝光制程的曝光量。9.如申请专利范围第1项所述之形成光阻图案的方法,其中包括于该基底上形成一待蚀刻材料层,再于该待蚀刻材料层形成该光阻层。10.一种缩小光阻图案线宽的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底形成一光阻层;对该光阻层进行一第一曝光制程;进行一第一显影制程,以形成一第一图案化光阻层;对该第一图案化光阻层进行一第二曝光制程,以使部分该第一图案化光阻层曝光分解,形成一曝光分解层;以及进行一第二显影制程,以去除该曝光分解层以形成一第二图案化光阻层,其中该第二图案化光阻层的图案尺寸小于该第一图案化光阻层的图案尺寸。11.如申请专利范围第10项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该光阻层包括正光阻。12.如申请专利范围第10项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第一曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。13.如申请专利范围第10项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第二曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。14.如申请专利范围第10项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第二曝光制程的曝光量小于该第一曝光制程的曝光量。15.如申请专利范围第10项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中包括于该基底上形成一待蚀刻材料层,再于该待蚀刻材料层形成该光阻层。16.一种缩小光阻图案线宽的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一正光阻层;进行一第一曝光制程,以使该正光阻层形成一第一曝光区与一第一未曝光区;对该正光阻层进行一第二曝光制程,以使该第一未曝光区形成一第二曝光区以及一第二未曝光区,该第二未曝光区小于该第一未曝光区;以及进行一显影制程,以移除该第一曝光区以及该第二曝光区,以使该第二未曝光区形成光阻图案。17.如申请专利范围第16项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第一曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。18.如申请专利范围第16项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第二曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。19.如申请专利范围第16项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中该第二曝光制程的曝光量小于该第一曝光制程的曝光量。20.如申请专利范围第16项所述之缩小光阻图案线宽的方法,其中包括于该基底上形成一待蚀刻材料层,再于该待蚀刻材料层形成该正光阻层。21.一种缩小光阻图案间距的方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一负光阻层;进行一第一曝光制程,以使该负光阻层形成一第一曝光区与一第一未曝光区;对该负光阻层进行一第二曝光制程,以使该第一未曝光区内形成一第二曝光区以及一第二未曝光区,其中该第二未曝光区小于该第一未曝光区;以及进行一显影制程,以移除该第二未曝光区,以使该第一曝光区以及该第二曝光区形成光阻图案。22.如申请专利范围第21项所述之缩小光阻图案间距的方法,其中该第一曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。23.如申请专利范围第21项所述之缩小光阻图案间距的方法,其中该第二曝光制程之光源系选自i线、氟化氪雷射、氟化氩雷射、氟雷射所组之族群。24.如申请专利范围第21项所述之缩小光阻图案间距的方法,其中该第二曝光制程的曝光量小于该第一曝光制程的曝光量。25.如申请专利范围第21项所述之缩小光阻图案间距的方法,其中包括于该基底上形成一待蚀刻材料层,再于该待蚀刻材料层形成该负光阻层。图式简单说明:第1A至1D图所绘示为本发明第一实施例之形成光阻图案的流程示意图;第2A至2C图所绘示为本发明第二实施例之形成光阻图案的流程示意图;第3A至3C图所绘示为本发明第三实施例之形成光阻图案的流程示意图;第4A图至第4D图所示为正光阻经显影后检视的电子式扫描显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)照相图;以及第5A图至第5D图所示为负光阻经显影后检视的电子式扫描显微镜照相图。 |
