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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit einem aus einer Grube herausragenden Isolationsoxid
摘要
申请公布号 DE69621412(T2) 申请公布日期 2003.02.13
申请号 DE1996621412T 申请日期 1996.12.23
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 ABIKO, HITOSHI
分类号 H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762;H01L21/768 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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