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发明名称 METHOD FOR DEPOSITING A SELECTED THICKNESS OF AN INTERLEVEL DIELECTRIC MATERIAL TO ACHIEVE OPTIMUM GLOBAL PLANARITY ON A SEMICONDUCTOR WAFER
摘要
申请公布号 KR20030007720(A) 申请公布日期 2003.01.23
申请号 KR20027016095 申请日期 2002.11.27
申请人 发明人
分类号 C23C16/52;H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/3205;H01L21/768 主分类号 C23C16/52
代理机构 代理人
主权项
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