| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure à semi-conducteur comprenant une première couche de gaine (12), une deuxième couche de gaine (13), et une ou plusieurs régions (11) actives à semi-conducteur. Un résonateur optique (20) est formé par inclusion d'un premier miroir et d'un second miroir aux extrémités opposées de la structure par rapport à l'axe optique. Une ou plusieurs facettes à angles (30), (31) fournit/fournissent à la structure à semi-conducteur un couplage électronique. Le trajet de faisceaux associé, situé le long d'un axe optique à l'intérieur de la structure (18), est un trajet en zigzag, qui est sensiblement indépendant de la hauteur de la région active. Un générateur de signal et un amplificateur optique peuvent être formés au moyen de la structure. On peut utiliser en outre ladite structure pour un modulateur, un multiplexeur, et un démultiplexeur optiques.</p> |
