Wafer Oxidationsreaktor und Verfahren zur Bildung eines Halbleiterbauelements

摘要

Eine Wafer Plattform mit darin befindlichem eingebauten Erhitzer (62), auf der eine hitzeleitfähige Scheibe (72) angebracht wird, auf der wiederum ein Objekt Wafer (40) angebracht wird, der eine darin befindliche AlAs-Schicht (26) hat. Die hitzeleitfähige Scheibe (72) hat eine Wärmeleitfähigkeit von größer gleich 100 Watt/K/Meter. Der Al-oxidierte Bereich (28) in der AlAs-Schicht (26) hat eine exzellente Gleichförmigkeit in der Schichtstruktur bezüglich ihrer Breite, was an der erwünschten Hitzeverteilung des Wafers (40) liegt, die durch die hitzeleitfähige Scheibe gewährleistet wird.