| 发明名称 | 形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种形成一开口于一高分子型介电层中的方法。此方法包括提供一基底，此基底上已形成有一导电结构层，一高分子型介电层。进行一热制造工艺以均匀硬化此高分子型介电层。形成一掩模层于基底上。定义掩模层及高分子型介电层以形成一开口，其中开口暴露出此高分子型介电层的一表面。进行一局部硬化制造工艺，将高分子型介电层被开口暴露的表面局部硬化。其中局部硬化制造工艺，包括利高能量光，电子束或离子束的照射源，进行局部硬化。 | ||
| 申请公布号 | CN1391266A | 申请公布日期 | 2003.01.15 |
| 申请号 | CN01121173.3 | 申请日期 | 2001.06.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈学忠;陈东郁;刘志建;林庆福 |
| 分类号 | H01L21/312;H01L21/3105;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种形成开口于一高分子型介电层中的方法，该方法包括：提供一基底；形成一高分子型介电层于该基底上；进行一热处理，以硬化该高分子型介电层；定义该高分子型介电层，以形成一开口，该开口暴露出该高分子型介电层的一部分表面；以及进行一局部硬化制造工艺，再次硬化该高分子型介电层被暴露的该部分表面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||