发明名称 35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳极箔生产工艺
摘要 本发明涉及一种光铝箔的生产方法。主要特点是蚀孔引发时采用30~50Hz的正弦波,在交流腐蚀时腐蚀液为以盐酸为主,硝酸、磷酸、草酸为辅,并添加高效缓蚀剂,腐蚀液的温度为30~50℃。通过上述工艺改进,引发出的孔洞较为理想,能有效地阻止深度腐蚀,使腐蚀在箔的浅表面上进行,消除了因蚀孔吞并而减小扩面的现象,大大增加了腐蚀箔的有效面积,既可使腐蚀蚀孔面积最佳,又利于生产控制。生产的光铝箔具有比容高、接触电阻小的特点,满足了生产高性能铝电解电容器对阳极箔的要求。
申请公布号 CN1391243A 申请公布日期 2003.01.15
申请号 CN02138023.6 申请日期 2002.07.24
申请人 扬州宏远电子有限公司 发明人 汪衍;马坤松
分类号 H01G9/055;C25F3/04 主分类号 H01G9/055
代理机构 扬州市锦江专利事务所 代理人 江平
主权项 1、35Vw和50Vw高比容低接触电阻阳板箔生产工艺,主要经光箔退火、前处理、蚀孔引发、交流腐蚀、后处理、热处理、化成、清洗、热处理、复片、清洗、热处理,最后形成成品箔,其特征在于蚀孔引发时采用30~50Hz的正弦波,同时,在交流腐蚀时腐蚀液为以盐酸为主,硝酸、磷酸、草酸为辅,并添加高效缓蚀剂,腐蚀液的温度为30~50℃。
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