| 主权项 |
1.一种具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,包括:提供一基底,该基底中形成有复数个内衬堆叠结构,其中每一内衬堆叠结构包括一电子捕捉层与一导电层;在该些内衬堆叠结构的测壁上形成复数个掺杂间隙壁,该些掺杂间隙壁中具有一掺质;在该些内衬堆叠结构间的该基底中形成复数个埋入式位元线;以及使该些掺杂间隙壁中的该掺质扩散至基底中,以在该些掺杂间隙壁下方的该基底中形成复数个源极/汲极延伸区。2.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些掺杂间隙壁包括一掺杂氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中在该些掺杂间隙壁中的该掺质包括砷离子。4.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中在该些掺杂间隙壁中的该掺质包括磷离子。5.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中使该些掺杂间隙壁中的该掺质扩散至基底中之步骤包括进行一热制程。6.如申请专利范围第5项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该热制程包括一快速热制程,该快速热制程系在1000℃左右进行30至60秒左右。7.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该电子捕捉层系为氧化矽层-氮化矽层-氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该导电层之材料包括掺杂多晶矽。9.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该掺杂间隙壁的形成方法系沉积一间隙壁材料层覆盖在该基底上,然后再将该掺质植入该间隙壁材料层中。10.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该掺杂间隙壁的形成方法系沉积一间隙壁材料层覆盖在该基底上,并同时将该掺质包覆于该间隙壁材料层中。11.如申请专利范围第1项所述之具有浅接面之非挥发性记忆体的制造方法,其中该掺杂间隙壁系利用一具有该掺质的材料来形成。12.一种制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中提供一基底,该基底中包括有一记忆胞区以及一周边电路区,该方法包括:分别在该记忆胞区中以及在该周边电路区中形成一氧化矽-氮化矽-氧化矽之结构与一闸极氧化层;在该记忆胞区中与该周边电路区中的该基底上形成一导电层;定义该记忆胞区中的该氧化矽-氮化矽-氧化矽之结构与该导电层,以形成一闸极结构;在该闸极结构的侧壁上形成一掺杂间隙壁;在该掺杂间隙壁侧边的该基底中形成一埋入式位元线;使一掺质从该掺杂间隙壁中扩散至该基底,而在该闸极结构下方形成一浅源极/汲极延伸区;形成一介电层,该介电层系填入该记忆胞区中的间隙;以及在该基底上形成一导电层,图案化该导电层,以分别在该记忆胞区与该周边电路区形成一字元线与一电晶体闸极。13.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中从该掺杂间隙壁扩散出的该掺质包括砷离子。14.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中从该掺杂间隙壁扩散出的该掺质包括磷离子。15.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中使一掺质从该掺杂间隙壁中扩散出去之步骤包括进行一快速热制程。16.如申请专利范围第15项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中该快速热制程系在一温度为1000℃左右下进行30至60秒钟左右。17.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中该埋入式位元线系以离子植入之方式形成。18.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中该掺杂间隙壁的形成方法系沉积一间隙壁材料层覆盖在该基底上,然后再将该掺质植入该间隙壁材料层中。19.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中该掺杂间隙壁的形成方法系沉积一间隙壁材料层覆盖在该基底上,并同时将该掺质包覆于该间隙壁材料层中。20.如申请专利范围第12项所述之制造一嵌入式非挥发性记忆体的方法,其中该掺杂间隙壁系利用一具有该掺质的材料来形成。图式简单说明:第1A-1E图系绘示根据本发明一较佳实施例之制造一嵌入式(embedded)非挥发性记忆体之剖面示意图;其中第1D图条根据第2图中之I-I连线所绘示之部分记忆胞区的剖面图。第1E图乃根据第2图之II-II连线所绘示之部分记忆胞区之前端之剖面图。第2图系绘示相同于第1D图之记忆胞区的上视图。 |
