| 摘要 |
<p>Auf den Source-/Drain-Bereichen (3, 4) von Speichertransistoren mit in Gräben angeordneten Gate-Elektroden (2) und ONO-Speicherschichtfolge (5, 6, 7) ist eine entsprechend den Bitleitungen streifenförmig strukturierte elektrisch leitende Schicht (8) oder Schichtfolge angeordnet, insbesondere ein Metallsilicid oder eine Polysiliziumschicht (14) mit darauf aufgebrachter metallhaltiger Schicht (15), die den ohmschen Widerstand der vergrabenen Bitleitungen reduziert. Das Metallsilicid ist bevorzugt Kobaltsilicid; die metallhaltige Schicht bevorzugt Wolframsilicid oder WN/W.</p> |
