| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un drcuit de protection de grille (28, 29) d'un transistor MOSFET de puissance (11, 14).Il comprend un élément limiteur ayant un seuil de conduction en tension faible dont la commande est obtenue par son câblage propre, une première partie de cet élément limiteur étant raccordée à la grille du MOSFET de puissance (11, 14) associé et montée en parallèle avec un élément diviseur et une seconde partie étant raccordée à la source du MOSFET de puissance (11, 14) associé.</P> |
