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Es ist eine Ionenimplantiervorrichtung mit einer Einrichtung offenbart, um einen Ionenstrahl zu veranlassen, eine Wafer abzutasten, wobei die Abtasteinrichtung, auf der der Wafer montiert ist, den Wafer in eine Zone bewegt, in die ein Ionenstrahl eingestrahlt wird. Eine Detektoreinrichtung, die fest benachbart zu der Abtasteinrichtung montiert ist, detektiert den Ionenstrahl, der in einer überlagernden Abtastbewegung die Abtasteinrichtung überfährt. Die Detektoreinrichtung besitzt eine geneigte Oberfläche, so daß ein Abschnitt der Detektoreinrichtung benachbart der Abtasteinrichtung unter einer Fläche des Wafers gelegen ist, der auf der Abtasteinrichtung angeordnet ist. Demzufolge kann die Ionenimplantiervorrichtung verhindern, daß der Wafer in der Abtasteinrichtung durch Zerstäubungsteilchen verunreinigt wird, die an der Oberfläche der Abtasteinrichtung erzeugt werden.
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