发明名称 | 静电放电防护电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种静电放电防护电路,利用基体触发技术对高低压输出入电路进行静电放电防护,该静电放电防护电路包含:一堆叠式NMOS晶体管,具有第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管;一寄生的旁侧双载子晶体管;一触发电流产生电路;以及一寄生的基板电阻;本发明可提高高低电压共容的输出入电路的静电放电防护能力。 | ||
申请公布号 | CN1385902A | 申请公布日期 | 2002.12.18 |
申请号 | CN01116071.3 | 申请日期 | 2001.05.14 |
申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 罗文裕;柯明道;庄健晖 |
分类号 | H01L23/60;H01L27/00 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 穆魁良 |
主权项 | 1.一种静电放电防护电路,其特征是:该静电放电防护电路包含:一堆叠式NMOS晶体管,具有堆叠的第一NMOS晶体管与第二NMOS晶体管,该第一NMOS晶体管的漏极连接于一I/O接点,且该第一NMOS晶体管的栅极连接于一第一工作电压,该第一NMOS晶体管的源极连接于该二NMOS晶体管的漏极,且该第二NMOS晶体管的栅极连接于一内部电路,以及该第二NMOS晶体管的源极连接于一第二工作电压;一旁侧双载子晶体管,该旁侧双载子晶体管的集极连接于前述第一NMOS晶体管的漏极,而射极连接于第二NMOS晶体管的源极;一触发电流产生电路,第一端连接于前述I/O接点,第二端连接于前述第二工作电压,以及第三端连接于前述旁侧双载子晶体管的基极;一基板电阻,一端连接于前述双载子晶体管的基极,另一端连接于前述第二工作电压。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学园区 |