发明名称 |
含有钛阻挡层的焊料凸点结构及其形成方法 |
摘要 |
一种在具有接触焊盘的微电子器件上形成焊料凸点的方法,包括以下步骤:在器件上淀积钛阻挡层,在钛阻挡层上形成下凸点金属化层,和在下凸点金属化层上形成一个或多个焊料凸点。焊料凸点限定了被除去的下凸点金属化层暴露的部分,然后钛阻挡层的暴露的部分被除去。钛阻挡层保护下面的微电子器件不受除去下凸点金属化层的腐蚀剂的影响。钛阻挡层也可以防止下凸点金属化层在下面的微电子器件上形成残留物。因此,钛阻挡层使得下凸点金属化层很快被除去,而不会留下残留物,因而减小了焊料凸点间电短路的可能性。 |
申请公布号 |
CN1096110C |
申请公布日期 |
2002.12.11 |
申请号 |
CN96193314.3 |
申请日期 |
1996.03.18 |
申请人 |
统一国际有限公司 |
发明人 |
约瑟夫·丹尼尔·米斯;格雷钦·马耶尔克·阿德马;马克·D·克拉姆;W·鲍伊德·罗格尔斯 |
分类号 |
H01L21/60;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种在微电子器件(20)上形成焊料凸点(42)的方法,微电子器件(20)具有衬底(22)和所述衬底(22)上的多个接触焊盘(24),其中每个所述接触焊盘(24)都有暴露的表面部分,所述方法的特征在于以下步骤:在所述接触焊盘(24)上形成连续的钛阻挡层(28),其中所述阻挡层(28)覆盖所述接触焊盘(24)的所述暴露的表面部分,并在所述衬底上延伸;在面对所述衬底的所述阻挡层(28)上形成下凸点金属化层(30,32,34);在面对所述接触焊盘(24)中的一个和所述阻挡层的所述暴露的表面部分,在所述下凸点金属化层(30,32,34)上形成焊料凸点(42),因而限定了所述下凸点金属化层上暴露的和未暴露表面部分;选择性地除去所述下凸点金属化层(30,32,34)的所述暴露部分,因而限定了所述阻挡层(28)的暴露部分;选择性地除去所述阻挡层(28)的所述暴露部分;并且其中形成下凸点金属化层的步骤包括:在所述钛阻挡层(28)上形成铬层(30),和在面对所述阻挡层(28)的所述铬层(30)上形成铜层(34)。 |
地址 |
荷属安的列斯 |