| 主权项 |
1.一种用于从一半导体晶圆分割个别的光电子元件之方法,该方法包括:将一具有一宽度的雷射光束照射到该半导体晶圆的一第一主表面上,俾以施加一每单位宽度第一能量到该晶圆位于各元件之间的第一部分,及每单位宽度第二能量到该晶圆邻接该第一部分的第二部分,该第二能量系小于该第一能量;扫描该雷射光束横越该第一主表面以制成一槽沟;及从该晶圆分割出至少一个元件。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该雷射光束的中央部分具有该第一能量而该雷射光束的周边部分具有该第二能量。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该雷射光束切割过该晶圆以产生至少一个元件,该元件具有一顶表面、一底表面、及在两表面间伸展的锥形边壁。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该雷射系照射在该晶圆的上表面上,俾在该表面上制成一V形槽沟。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该元件的底表面具有比该顶表面较大的面积。6.根据申请专利范围第3项之方法,其中该雷射系照射在该晶圆的下表面上,俾在该表面上制成一V形槽沟。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该元件的顶表面具有比该元件之底表面较大的面积。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆结合一种有多个发光二极体覆盖在一基体上的半导体结构。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该半导体结构由从包含III-V半导体的群组中选出的材料所构成。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该基体实质是透明的。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该基体是选出自包含青玉,ZnO、LiGaO、AlN或GaN的群组中。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中该半导体结构包含氮化镓基材料而该基体是用青玉制作。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该雷射光束影像的构形是可操纵的,以致可改变该雷射的形状。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中该雷射光束具有能量梯度因而每单位宽度的能量横越该光束是逐渐变动的。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中该雷射光束是呈三角形状,因此在中央部分的每单位宽度的能量,要比该雷射光束的周边部分的每单位宽度能量为大。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该照射雷射光束之步骤,包括将该三角形雷射光束的中央部分对齐该晶圆的直街。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该扫描雷射光束之步骤,包括扫描该雷射光束,以使该三角形雷射光束的中央部分,先于该周边部分到达该晶圆的一部分。18.根据申请专利范围第15项之方法,其中该三角形雷射光束的中央部分是和该晶圆的横路对齐。19.根据申请专利范围第1项之方法,其中该射光束具有一钻石形状。20.一种光电子元件,包括:一堆叠的半导体结构,包含一具有第一导电型的第一区,覆盖在一具有第二导电型的第二区的上面,而有一发光的p-n型接面介于两区之间;该半导体结构具有一外周边表面,界定为锥形边壁,后者从该半导体结构的顶表面向内渐缩到该结构的底表面;及一第一电极-终端区组连接到该第一区,及一第二电极-终端区组连接到该第二区。21.根据申请专利范围第20项之元件,其中该半导体结构的顶表面具有一比该结构的底表面为大的面积。22.根据申请专利范围第20项之元件,其中该半导体结构由自包含III-V半导体的群组中选出的材料所构成。23.根据申请专利范围第20项之元件,尚包括一支撑该结构的基体。24.根据申请专利范围第23项之元件,其中该基体系自一群包含青玉,ZnO、LiGaO、AlN或GaN的材料中选出。25.根据申请专利范围第23项之元件,其中该半导体结构包含氮化镓基半导体材料而该基体包含一青玉基体。26.一种用于从一结合有供作多个光电子元件的半导体材料的晶圆中分割出一光电子元件之装置,该装置包括:一支托,包括一顶表面,用以接纳至少一个晶圆;一雷射光源,适合于投射一雷射光束影像到该支托的顶表面上,该雷射光束影像,具有一宽度其含有一每单位宽度第一能量的第一部分和一每单位宽度第二能量的第二部分,该第二能量系小于该第一能量。27.根据申请专利范围第26项之装置,其中该第一部分包含该雷射光束的中央部分,而该第二部分包含该雷射光束的周边部分。图式简单说明:图1显示一透明的介质的横截面视图,有光正在该介质中行进;图2显示一传统的LED的横截面示意图;图3显示一传统的半导体晶圆的平视图;图4显示图3晶圆的一局部的横截面视图;图5显示一传统LED封装体内含图4的LED之片断的横截面视图;图6A显示一在根据本发明之一具体实施例方法中的晶圆的局部截面视图;图6B显示一在图6A中的方法中的晶圆的局部的顶面平视图;图7显示一在图6A-6B方法中所用雷射光束的描绘正视图;图8显示一图表,描绘使用图6A-7的雷射光束时所获得之切割深度;图9显示一在根据图6A-8具体实施例方法中的半导体晶圆之片断横截面视图;图10显示一在根据图6A-9具体实施例方法中的LED之前正视图;图11显示图10的LED之一透视图;图12显示一含有图11的LED的LED封装体之一片断正视图;图13显示一在根据本发明的另一具体实施例方法中的半导体晶圆之横截面视图;图14显示一在根据图13的具体实施例方法中一LED之透视图;图15显示一含有图14的LED的LED封装体之一片断正视图;图16显示一根据本发明另一具体实施例方法中的雷射光束影像;图17显示一根据本发明又一具体实施例方法中的雷射光束影像;图18显示一根据本发明再另一具体实施例方法中的雷射光束影像;图19显示一根据本发明另一具体实施例方法中的雷射光束影像;图20显示一根据本发明另一具体实施例之LED封装体。 |
