发明名称 液体排放头,其制造方法及细微机械设备之制造方法
摘要 一种液体排放头之制造方法,此液体排放头具有一个排放开口以排出液滴;一个壁构件,构成与排放开口相导通之一个液体流动路径,以将液体供应至排放开口;一个基材,具有一个气泡生成元件,以在液体中生成气泡;及一个可移式构件,由基材支撑并固定至基材,且其排放开口侧作为一个自由端并设置于朝向液体流体路径中的气泡生成元件的位置处,而与基材之间具有一个间隙,可移式构件的自由端藉由生成气泡所产生的压力移动离开基材,因此将压力导往排放开口侧并使液滴从排放开口排出。此方法具有以下步骤:制备具有可移式构件之基材;以液体状光固化树脂充填位于可移式构件与基材之间的间隙;及以旋转涂布方式将树脂施加至基材直到覆盖可移式构件为止;将该光固化树脂区域(但排除了至少包括液体流动路径之区域)曝光,因而硬化与壁构件相对应之一部份;及移除光固化树脂的未曝光部,因而形成液体流动路径中之可移式构件。
申请公布号 TW510855 申请公布日期 2002.11.21
申请号 TW089110880 申请日期 2000.06.03
申请人 佳能股份有限公司 发明人 铃木良明;田川义则;宫川昌士;渡边诚;益川 也;栗原香晓;饭岛康
分类号 B41J2/135 主分类号 B41J2/135
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种液体排放头之制造方法,此液体排放头具有:一排放开口,以排出液滴;一壁构件,构成与该排放开口相导通之一个液体流动路径,以将液体供应至该排放开口;一基材,具有一个气泡生成元件,以在该液体中生成一气泡;及一可移式构件,由该基材支撑并固定至该基材,且该排放开口侧作为一个自由端并设置于朝向该液体流体路径中的气泡生成元件之位置处而与该基材之间具有一个间隙;该可移式构件的自由端藉由生成该气泡产生之压力移动离开该基材,因此将该压力导往该排放开口侧,并使该液滴从该排放开口排出;其特征为以下步骤:制备具有该可移式构件之基材;以液体光固化树脂来充填该可移式构件与该基材之间的间隙;及以转动涂布方式将该树脂施加至该基材,直到覆盖该可移式构件为止;将该光固化树脂区域(但排除了至少包括该液体流动路径之一区域)曝光,因而硬化与该壁构件相对应之一部份;及移除该光固化树脂的未曝光部,因而形成该液体流动路径中之可移式构件。2.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,进一步具有以下步骤:在移除该光固化树脂的未曝光部的步骤之后,以等于或高于该硬化的光固化树脂熔点之温度进行该树脂的烘烤。3.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,其中该具有可移式构件之基材被切割成,设有该壁构件于其上的状态。4.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,其中该具有可移式构件之基材系被切割成一顶板一个顶板接合在该壁构件上的一状态。5.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,其中该具有可移式构件之基材被切割成该液体流动路径部被填充以可被淘析之树脂的状态。6.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,其中在普通温度的环氧树脂固体系熔于一溶剂之状态中,施用该光固化树脂。7.如申请专利范围第1项所述之液体排放头之制造方法,其中该壁构件为环氧树脂之一种阳离子聚合硬化物质。8.如申请专利范围第6项所述之液体排放头之制造方法,其中该光固化树脂包含50%或更多的一个固体组成,且平均分子量为10000或更小。9.如申请专利范围第4项之液体排放头之制造方法,其中该物质与该顶板由一矽材料所构成。10.一种液体注射记录头,其系由根据申请专利范围第1至9项中任一项所制备者。11.一种细微机构设备的制造方法,此细微机械设备具有一个第一基材,该第一基材表面上设置有一个构成一流动路径之壁构件;一个可移式构件,由该第一基材支撑并固定至该第一基材,且其一端部作为一个自由端并与该第一基材上的流动路径中之该第一基材之间具有一个间隙;及一个第二基材,接合至该壁构件上表面,其特征为以下步骤:制备具有该可移式构件之该第一基材;以液体光固化树脂来充填该可移式构件与该基材之间的间隙,并由转动涂布方式将该树脂施加至该第一基材,直到覆盖该可移式构件为止;将该光固化树脂中排除包括至少该流动路径之区域进行曝光,因此硬化与该壁构件相对应之一部份;及移除该树脂的未硬化部份,因而形成该流动路径中之可移式构件。12.如申请专利范围第11项之细微机构设备之制造方法,进一步具有以下步骤:在移除该光固化树脂的未曝露部份的步骤之后,以等于或高于该硬化的光固化树脂熔点之温度将该树脂进行烘烤。图式简单说明:图1为沿液体流动路径方向之剖视图,显示本发明一项实施例中之一液体排放头的结构;图2为图1所示液体排放头所用之元件基材之剖视图;图3为图2所示的元件基材之典型剖视图,图中纵向剖切元件基材之主要元件;图4为用于承载图1所示液体排放头之液体排放头之平面图;图5A、5B、5C、5D、5E显示一种用于在元件基材上形成一可移式构件之方法;图6显示利用电浆CVD设备在元件基材上形成SiN膜之方法;图7显示利用乾蚀刻设备形成SiN膜之方法;图8A、8B、8C、8D为显示在元件基材上形成可移式构件及流动路径侧壁之方法的步骤剖视图;图9A、9B、9C为显示用于在元件基材上形成可移式构件及流动路径侧壁之方法之立体图;图10A及10B显示用于形成流动路径侧壁的步骤中之侧边清洗步骤;图11显示在形成流动路径侧壁之步骤中已经进行转动涂布步骤及侧边清洗步骤之后的状态;图12为显示根据习知技艺的液体排放头之部份切除立体图;图13为显示根据习知技艺的液体排放头的另一范例之部份切除立体图;图14A、14B、14C、14D为利用图13所示的液体排放头沿流动路径方向显示液体排放方法之剖视图;图15显示图13所示习知技艺的液体排放头之制造方法的立体图。
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