| 主权项 |
1.一种单石式可积体化之电路配置,其用来控制一 种切换式电源供应器中之半导体开关(4)且具有第 一和第二电源电位接点,包括: ─一个控制器(5),其依据可变之振荡器频率来产生 该半导体开关(4)用之控制脉冲,各别之控制脉冲之 期间是与第一调整信号(15b)及第二调整信号(15c)有 关; ─一种测量配置(10),依据第二调整信号来控制此 半导体开关(4)之负载电流, 其特征为: ─一种接收此振荡器信号所用之功率调整配置(11) ,其产生第三调整信号(15a)且传送至控制器(5),第三 调整信号(15a)是与振荡器频率之平方根成反比。2. 如申请专利范围第1项之电路配置,其中此功率调 整配置(11)具有以下特征: ─一种接收此振荡器信号所用之脉冲产生器(16); ─一种由电流源(19)和电荷贮存器(20)所构成之串 联电路,其位于第三和第四电源电位接点(24,25)之 间, ─一种由MOS二极体(17)和可控制之开关(18)所构成 之串联电路,其是与电荷贮存器(20)并联; ─开关(18)依据脉冲产生器(16)所发出之脉冲而被 控制,各别脉冲之期间是与振荡器信号无关。3.如 申请专利范围第2项之电路配置,其中在电流源(19), 电荷贮存器(20)和MOS二极体(17)之间的节点可测得 第三调整信号,其是由此种所产生之电荷贮存电压 平均値与MOS二极体之导通电压之差所形成。4.如 申请专利范围第1至3项中任一项之电路配置,其中 此控制器(5)具有一个比较器(15),第三调整信号传 送至比较器(15)之第一反相输入端(15a),第一调整信 号传送至第二反相输入端(15b),第二调整信号(其与 半导体开关(4)之负载电流有关)传送至非反相输入 端。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之电路配 置,其中功率调整配置(11)具有温度补偿元件(22,23), 其由该节点上之电压减去一种预定之値且传送至 此比较器(15)作为第三调整信号。6.如申请专利范 围第5项之电路配置,其中该温度补偿元件具有一 个半导体开关(22)以及一个与第四电源电位有关之 电流源(23),其中此半导体开关(22)和电流源(23)之间 之节点是与比较器(15)相连接。7.如申请专利范围 第2或3项之电路配置,其中此脉冲产生器(16)具有一 些元件(24至34),其可补偿此功率调整配置之MOS二极 体之与温度有关之特性。8.如申请专利范围第7项 之电路配置,其中此脉波产生器(16)具有一种电荷 贮存器(29),一种由振荡器信号所控制之半导体开 关(30)并联于此电荷贮存器(29),一种与温度有关之 半导体开关连接于此电荷贮存器(29)之后,所产生 之脉冲期间是与此期间有关,此期间是使电荷贮存 器由第三电源电位充电至第一参考电位所需之时 间。图式简单说明: 第1图先前技艺中已为人所知之反向切换式电源供 应器之接线原理图。 第2图本发明之电路配置之第一实施例。 第3图本发明之电路配置之第二实施例。 第4图脉冲产生器之构造图,其可对MOS二极体之特 性作温度补偿。 |
