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<p>본 발명은 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법에 관한 것으로, 소정의 공정을 통해 구리 배선을 형성하고, 선택적 알루미늄 CVD 방법에 의해 구리 배선 상부에만 알루미늄막을 형성한 후 산소 분위기의 고온 열공정에 의해 알루미늄막을 산화시켜 알루미늄 산화막을 형성하거나, 고온의 환원성 가스 분위기에서 TMA 가스를 이용한 열처리 공정 또는 AlCl플라즈마를 사용하여 구리 배선의 표면에만 알루미늄막을 형성한 후 고온 열처리 공정을 실시하여 알루미늄층을 산화시켜 알루미늄 산화막을 형성함으로써 구리 배선의 산화를 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법이 제시된다.</p> |
