| 发明名称 | 半导体装置及有源矩阵型显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明谋求由激光退火进行的多晶化的均衡化。在驱动器内装型有源矩阵型显示装置等中的透明基板上的一部分区域上形成金属层(32),具备缓冲层(11)使之覆盖金属层(32)的形成区域及非形成区域的每一个。在该缓冲层(11)之上、且在金属层的形成区域上配置第1多晶硅膜,在非形成区域上配置第2多晶硅膜。缓冲层(11)具备充分的膜厚和热容量,加大有源层与其下层金属层的层间距离,能够缓和由金属层引起的热漏泄。因此,通过对成膜于缓冲层(11)上的非晶硅膜进行设定成同一条件的激光退火,能够分别得到适宜颗粒尺寸的第1以及第2多晶硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1379482A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN02104992.0 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 山田努 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/324;G02F1/133;G09F9/30 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：形成在透明基板上的一部分区域中的金属层；形成在上述金属层的上方并且至少一部分与该金属层重叠，通过激光退火而多晶化了的多晶半导体膜；以及在上述金属层与上述多晶半导体膜的层间的缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||