| 主权项 |
1.一种液体处理装置,其特征在于具有: 处理液槽,其系可收容对被处理基板施以液体处理 之处理液者; 处理液循环系统,其系连接于前述处理液槽而设置 ,使前述收容之处理液在其与前述处理液槽外之间 循环者;及生成物除去部,其系设于前述处理液循 环系统,将前述循环之处理液中所含之前述液体处 理的反应生成物予以除去者。2.如申请专利范围 第1项之液体处理装置,其中更具有添加剂供给部, 其系连接于前述处理液循环系统而设置,对前述循 环之处理液,供给有机系成分添加剂及/或硫磺系 成分添加剂者。3.如申请专利范围第1项之液体处 理装置,其中更具有添加剂浓度测定部,其系连接 于前述处理液循环系统而设置,测定前述循环之处 理液中的有机系成分添加剂及/或硫磺系成分添加 剂之浓度者。4.如申请专利范围第1项之液体处理 装置,其中更具有体积/重量测定部,其系连接于前 述处理液循环系统而设置,测定前述循环之处理液 的体积或重量者。5.如申请专利范围第1项之液体 处理装置,其中前述生物除去部具备电性吸附部, 其系除去前述反应生成物者。6.如申请专利范围 第1项之液体处理装置,其中前述生物除去部具备 加热部,其系将前述循环之处理液予以加热者。7. 一种液体处理装置,其特征在于具有: 处理液槽,其系可收容对被处理基板施以液体处理 之处理液者; 处理液循环系统,其系连接于前述处理液槽而设置 ,使前述收容之处理液在其与前述处理液槽外之间 循环者; 再生槽,其系设于前述处理液循环系统之中途,可 贮留前述循环之处理液,对前述贮留之处理液施以 再生处理者;及 生成物除去部,其系设于前述再生槽,将前述贮留 之处理液中所含之前述液体处理的反应生成物予 以除去者。8.如申请专利范围第7项之液体处理装 置,其中前述生成物除去部具备电性吸附部,其系 除去前述反应生成物。9.如申请专利范围第7项之 液体处理装置,其中前述生成物除去部具备加热部 ,其系将前述循环之处理液予以加热者。10.如申请 专利范围第7项之液体处理装置,其中更具有贮留 槽,其系设于自前述处理液槽向前述再生槽中途之 前述处理液循环系统,将前述循环之处理液予以暂 时贮存留置者。11.如申请专利范围第7项之液体处 理装置,其中更具有缓冲槽,其系设于自前述处理 液槽向前述再生槽中途之前述处理液循环系统,将 前述循环之处理液予以暂时贮存留置者。12.一种 液体处理方法,其特征在于:其系使用具有下述机 构之液体处理装置者:处理液槽,其系可收容对被 处理基板施以液体处理之处理液者;处理液循环系 统,其系连接于前述处理液槽而设置,使前述收容 之处理液在其与前述处理液槽外之间循环者;及生 成物除去部,其系设于前述处理液循环系统,将前 述循环之处理液中所含之前述液体处理的反应生 成物予以除去者; 具有下述步骤: 在对前述被处理基板施以液体处理之同时,或在对 前述被处理基板施以液体处理之后,依前述处理液 循环系统,使前述处理液循环之步骤;及 将前述循环之处理液中所含之前述液体处理的反 应生成物,使用前述生成物除去部予以除去之步骤 。13.一种半导体装置制造方法,其特征在于具有下 述步骤: 依处理液附着于被处理基板面之步骤,该处理剂含 有促进电镀形成之成分及抑制电镀形成之成分;及 对附有前述处理剂之前述被处理基板面,施以液体 处理之步骤。14.一种半导体装置制造方法,其特征 在于具有下述步骤: 将表面上形成有电镀种层之被处理基板,导入处理 空间之步骤;及 将被导入之被处理基板于前述处理空间,进行还原 处理之步骤。15.一种半导体装置制造方法,其特征 在于具有下述步骤: 将表面上形成有电镀种层之被处理基板,导入处理 空间之步骤; 将被导入之被处理基板于前述处理空间,进行还原 处理之步骤; 使处理剂附着于经前述还原处理之被处理基板面 之步骤,该处理剂含有促进电镀形成之成分及抑制 电镀形成之成分;及 对附有前述处理剂之前述被处理基板面,施以液体 处理之步骤。16.一种半导体装置制造装置,其特征 在于具有: 处理剂附着机构,其系使含有促进电镀形成成分及 抑制电镀形成成分之处理剂,附着于被处理基板面 者;及 液槽,其系对附有前述处理剂之前述被处理基板面 ,施以液体处理者。17.如申请专利范围第16项之半 导体装置制造装置,其中前述处理剂附着机构系设 于与前述液槽所属之处理空间不同之其他处理空 间,或者系设于与前述液槽所属之处理空间相同之 处理空间者。18.一种半导体装置制造装置,其特征 在于具有: 被处理基板运送机构,其系将表面上形成有电镀种 层之被处理基板,导入处理空间者;及 还原处理部,其系将前述被导入之被处理基板,于 前述处理空间进行还原处理者。19.一种半导体装 置制造装置,其特征在于具有: 被处理基板运送机构,其系将表面上形成有电镀种 层之被处理基板,导入处理空间者; 还原处理部,其系将前述被导入之被处理基板,于 前述处理空间进行还原处理者; 处理剂附着机构,其系使含有电镀形成促进成分及 电镀形成抑制成分之处理剂,附着于经前述还原处 理之被处理基板面者;及 液槽,其系对附有前述处理剂之前述被处理基板面 ,施以液体处理者。20.如申请专利范围第19项之半 导体装置制造装置,其中前述处理剂附着机构系设 于与前述液槽所属之处理空间不同之其他处理空 间,或者系设于与前述液槽所属之处理空间相同之 处理空间者。图式简单说明: 图1为含电镀处理部之系统的立体图,此电镀处理 部系为本发明之第1实施形态之液体处理装置之构 造的一部分。又,为本发明之第7实施形态之含电 镀处理部之系统的立体图。 图2为图1所示系统之平面图。 图3为图1所示系统之正面图。 图4为图1所示系统之侧面图。 图5为本发明之第1实施形态之液体处理装置之一 部分构造之电镀处理部的模式化垂直剖面图。又, 为本发明之第5实施形态所用以进行处理剂附着步 骤之装置的构造之模式化垂直剖面图。 图6为本发明之第1实施形态之液体处理装置之一 部分构造之电镀处理部的概略平面图。 图7为图1所示系统之动作流程图。 图8为图5所示电镀处理部之动作流程图。 图9为本发明之第1实施形态之液体处理装置之构 造的系统模式图。 图10为本发明之第1实施形态之液体处理装置之处 理液再生动作的流程图。 图11为本发明之第2实施形态之液体处理装置之构 造的模式化概略垂直剖面图。 图12为本发明之第3实施形态所用以进行处理剂附 着步骤的装置之构造的模式化垂直剖面图。 图13为本发明之第4实施形态所用以进行处理剂附 着步骤的装置之构造的模式化垂直剖面图。 图14为本发明之第6实施形态所用以进行处理剂附 着步骤的装置之构造的模式化垂直剖面图。 图15系将图12或图13所示装置予以导入作为处理剂 附着单元之情况的系统动作之流程图。 图16为将进行还原处理之装置予以导入之情况的 系统动作之流程图。 图17为兼用还原处理及附着剂附着之情况的系统 动作之流程图。 |
