| 发明名称 | 用于电可擦可编程只读存储器的高温氧化物沉积方法 | ||
| 摘要 | 一种于二位EEPROM装置(10)制造ONO浮动栅极电极(26)的方法,包括使用高温氧化物(HTO)沉积处理形成顶氧化物层(32),其中HTO处理是在700至约800℃温度利用LPCVD或RTCVD沉积处理器进行。该方法进一步包括使用原位LPCVD或RTCVD沉积处理循序形成一层氮化硅层(30)及一层顶氧化物层(32),其中于形成顶氧化物层(32)之前,氮化硅层(30)未暴露于周围气氛。使用HTO沉积处理形成顶氧化物层(32),经由减少ONO浮动栅极电极(26)的电荷泄漏而提供改进的二位EEPROM内存装置(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN1378703A | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
| 申请号 | CN00814074.X | 申请日期 | 2000.10.16 |
| 申请人 | 先进微装置公司;富士通株式会社 | 发明人 | 阿维得·哈利亚;罗伯特·B·欧格;小森秀树;K·欧 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L29/792 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种于一个二位EEPROM装置(10)制造一种ONO浮动栅极电极(26)的方法，包含下列步骤：提供一半导体基片(16)；热生长一层第一氧化硅层(28)覆盖于半导体基片(16)上；形成一层氮化硅层(30)覆于第一氧化硅层(28)上；以及使用高温氧化物沉积方法沉积一层第二氧化硅层(32)覆于氮化硅层(30)上，其中高温氧化物沉积处理是在约700至约800℃的温度进行。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||