发明名称 局部热调整之环谐振器
摘要 一种可进行热调整之谐振器,其包含一谐振器主体,该谐振器主体具有一谐振波长,且该谐振波长系以温度之函数加以变化;一沟槽,其形成于该谐振器主体之内部;以及一盘状物,其形成于该沟槽之内部,且该盘状物系由半导体膜层所构成,该等膜层被掺杂而形成一正向偏压接面。第一电极系位于该盘状物之顶部,并与该正向偏压接面作电性接触,该第一电极并未覆盖该谐振器主体;第二电极系位于该正向偏压接面之下方,并与该正向偏压接面作电性接触。当电流通过该等电极时,会产生热而改变该谐振器主体的谐振波长。另一种可进行热调整之谐振器具有一谐振器主体及一加热器,其中两接触垫系与该谐振器主体之上方的电阻器作电性接触。当电流通过该电阻器时,会产生热而改变该谐振器主体的谐振波长。一温度感应器可用于感应该谐振器主体的温度。
申请公布号 TW508461 申请公布日期 2002.11.01
申请号 TW089124827 申请日期 2000.11.22
申请人 那诺维逊科技股份有限公司 发明人 卡德黑阿汉买力;克里斯多佛T 尤特西
分类号 G02B6/12;G02B6/293 主分类号 G02B6/12
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种可进行热调整之谐振器,其至少包含: 一谐振器主体,该谐振器主体具有一谐振波长,且 该谐振波长系以温度之函数加以变化; 一沟槽,其形成于该谐振器主体的内部; 一盘状物,其形成于该沟槽之内部,且该盘状物包 含复数半导体膜层,该等膜层被适当掺杂而形成一 正向偏压接面; 一第一电极,其位于该盘状物之顶部,并与该正向 偏压接面作电性接触,该第一电极的尺寸大小并未 覆盖该谐振器主体;以及 一第二电极,其位于该正向偏压接面之下方,并与 该正向偏压接面作电性接触; 其中,当电流通过该第一电极及该第二电极而到达 该正向偏压接面时,会产生热而改变该谐振器主体 的谐振波长。2.如申请专利范围第1项所述之可进 行热调整之谐振器,其更包含: 一层平坦材料,其覆盖该谐振器主体及该沟槽; 其中,该平坦材料并未覆盖该盘状物之至少一部分 ,且该第一电极系透过该盘状物而与该正向偏压接 面作电性接触。3.如申请专利范围第2项所述之可 进行热调整之谐振器,其中上述之平坦材料包含至 少苯并环丁烯(BCB)、聚醯亚胺、二氧化矽(SiO2)及 氮化矽(Si3N4)其中之一。4.如申请专利范围第1项所 述之可进行热调整之谐振器,其中上述之盘状物及 该沟槽两者的形状符合该谐振器主体的形状。5. 如申请专利范围第1项所述之可进行热调整之谐振 器,其中上述之谐振器主体、该沟槽及该盘状物系 相对一共同中心而加以配置。6.如申请专利范围 第5项所述之可进行热调整之谐振器,其中上述之 谐振器主体为环形、该沟槽为环形,且该盘状物为 圆柱形。7.如申请专利范围第5项所述之可进行热 调整之谐振器,其中上述之第一电极为圆形,且亦 以该共同中心而加以配置。8.如申请专利范围第2 项所述之可进行热调整之谐振器,其更包含一接点 ,并电性连接该第一电极,该接点系配置于该平坦 材料之顶部。9.一种可进行热调整之谐振器,其至 少包含: 一谐振器主体,该谐振器主体具有一谐振波长,且 该谐振波长系以温度之函数加以变化;以及 一加热器,其至少包含: 一第一接触垫, 一第二接触垫,以及 一电阻元件,该电阻元件与该第一接触垫及该接触 垫两者作电性接触,且该电阻元件系配置于该谐振 器主体的上方; 其中,当电流通过该第一接触垫及该第二接触垫而 到达该电阻元件时,会产生热而改变该谐振器主体 的谐振波长。10.如申请专利范围第9项所述之可进 行热调整之谐振器,其中上述之电阻元件重叠于该 谐振器主体。11.如申请专利范围第10项所述之可 进行热调整之谐振器,其中上述之电阻元件系以大 致均匀的方式重叠于该谐振器主体。12.如申请专 利范围第10项所述之可进行热调整之谐振器,其中 上述之电阻元件具有蜿蜒的形状。13.一种可进行 热调整之谐振器,其至少包含: 一谐振器主体,该谐振器主体具有一谐振波长,且 该谐振波长系以温度之函数加以变化; 一加热器,其至少包含: 一第一接触垫; 一第二接触垫;以及 一电阻元件,该电阻元件与该第一接触垫及该接触 垫两者作电性接触,且该电阻元件系配置于该谐振 器主体的上方;以及 一温度感应器,其系感应该谐振器主体的温度 其中,当电流通过该第一接触垫及该第二接触垫而 到达该电阻元件时,会产生热而改变该谐振器主体 的谐振波长。14.如申请专利范围第13项所述之可 进行热调整之谐振器,其中上述之温度感应器包含 一热电偶。15.如申请专利范围第14项所述之可进 行热调整之谐振器,其中上述之热电偶系配置于该 电阻元件的上方。16.如申请专利范围第15项所述 之可进行热调整之谐振器,其更包含一控制电路, 该控制电路系根据该温度感应器侦测该谐振器所 测得之温度而控制施于该电阻元件的电流。17.如 申请专利范围第13项所述之可进行热调整之谐振 器,其中上述之电阻元件重叠于该谐振器主体。18. 如申请专利范围第17项所述之可进行热调整之谐 振器,其中上述之电阻元件系以大致均匀的方式重 叠于该谐振器主体。19.如申请专利范围第13项所 述之可进行热调整之谐振器,其中上述之电阻元件 具有蜿蜒的形状。图式简单说明: 第1图为光学资料网路之交叉连结的概视图; 第2A图及第2B图为部分的光学资料网路的两种不同 结构; 第3A图及第3B图系图示环谐振器之自由频谱范围与 光学频道个数之间的关系,其中该光学频道可藉由 谐振器而经过多工处理成为单一光纤; 第4A图为一联结器的上视图,该联结器具有根据本 发明之一实施例所建构的可调环谐振器; 第4B图为第4A图所示之联结器的剖面图,其为沿着 直线4B-4B之剖面; 第5图系图示一联结器,该联结器具有根据本发明 之一实施例所建构的另一可调环谐振器; 第6图为图示一联结器,该联结器具有根据本发明 之一实施例所建构的另一可调环谐振器; 第7图为沿着第4A图之直线7-7的剖面图; 第8图为一谐振器的部分剖面图,该谐振器适用于 主动式架构装置中的雷射;及 第9A-F图为不同类型谐振器的概视图:第9A图描绘一 圆谐振器;第9B图描绘一椭圆谐振器;第9C图描绘具 有垂直输入及输出波导器的谐振器;第9D图描绘一 无间隔耦合的谐振器;第9E图显示具有弯曲输入及 输出波导器的谐振器;而第9F图则描绘一垂直间隔 耦合的谐振器。
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