| 发明名称 | 移动正离子污染的测试装置及方法 | ||
| 摘要 | 一种移动正离子污染(PMIC)的测量装置,设置于半导体基底上。半导体基底上设置有MOS晶体管。移动正离子污染的测量装置则是由加热装置、温度测量装置、栅极所构成。加热装置是设置在等场氧化层的表面。温度测量装置是设置在加热装置的表面,以测量的温度作为调整的依据。闸极是设置在加热装置的上方。其中,加热装置可以是多晶硅层;温度测量装置可以是Kelvin结构的铝线;外接电流计则可以在各种条件下测量半导体基底的电荷抽运电流,藉以推得移动正离子污染的数量。 | ||
| 申请公布号 | CN1377068A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
| 申请号 | CN01110176.8 | 申请日期 | 2001.03.28 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈伟梵 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种移动正离子污染(PMIC)的测量装置，其特征在于：该测量装置设置于一半导体基底上，该半导体基底是以场氧化层定义一主动区，该主动区中则设置一MOS晶体管，包括：一加热装置，设置于该等场氧化层的表面以加热该半导体基底；一温度测量装置，设置于该加热装置的表面以测量该半导体基底的温度，进而作为调整的依据；以及一栅极，设置于该MOS晶体管的上方以施加偏压。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||