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<P>Dans le procédé de test de modules de mémoire à semiconducteur, on subdivise les lignes et les colonnes en partie, en ce que l'on compte ligne par ligne ou colonne par colonne les défauts se produisant dans chaque partie, en ce que l'on compare le nombre des défauts de chaque partie, ligne par ligne ou colonne par colonne à une valeur de seuil et en ce que l'on transmet les résultats de la comparaison, à titre d'information supplémentaire, ligne par ligne ou colonne par colonne, en même temps que les fausses adresses au dispositif de test.</P>
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