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<p>베이스와 금속전극 간의 접촉이 액티브영역에 성장된 필드산화막 상에서 이루어지도록 소자 구조를 변경하므로써, 베이스와 켈렉터간의 접촉 면적을 줄이고, 소자의 동작속도를 개선할 수 있도록 한 HBT(Hetero-Bipolar Transistor) 소자가 개시된다. 이를 위하여 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 성장된 에피택셜층과, 상기 에피택셜층 상의 소자분리영역에 형성된 제 1 필드산화막과, 상기 에피택셜층 상의 액티브영역에 형성된 다수의 제 2 필드산화막과, 상기 결과물 상에 형성된 SiGe 재질의 베이스와, 상기 액티브영역 상의 상기 베이스 위에 형성된 도전막(불순물이 도핑된 폴리실리콘) 재질의 에미터와, 상기 에미터에 개별 접속된 제 1 금속전극 및 상기 제 1 및 제 2 필드 산화막 상의 상기 베이스에 개별 접속된 제 2 금속전극을 포함하는 HBT 소자가 제공된다.</p> |
