| 发明名称 | 提高光刻分辨率的方法 | ||
| 摘要 | 一种提高光刻分辨率的方法,在接近或接触式光刻的掩模板上的铬膜图案中的空气间隙内和在掩模板铬膜与硅片上光刻胶层之间的空气层隙内,填充折射率大于掩模板基片折射率的透明材料。并对空气层隙内与光刻胶层相接触的透明材料层的表面进行抛光。因此进行光刻时,由于空气间隙和空气层隙内填充了折射率较大的透明材料,使得光束的折射角减小,衍射距离减小,有效地削弱了衍射效应。从而提高了光刻的分辨率。本发明的方法简单,容易操作。能够避免掩模板的表面损伤。可以对掩模板进行反复填充和多次利用。光刻的分辨率可以达到亚半微米。 | ||
| 申请公布号 | CN1375745A | 申请公布日期 | 2002.10.23 |
| 申请号 | CN02111138.3 | 申请日期 | 2002.03.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵永凯;黄惠杰;任冰燕;杜龙龙;程兆谷;路敦武;杨良民 |
| 分类号 | G03F7/20;G02B27/12 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 上海开祺专利代理有限公司 | 代理人 | 李兰英 |
| 主权项 | 1.一种提高光刻分辨率的方法，对与掩模板(1)接近或接触的硅片(4)表面上光刻胶层(3)进行光刻，其特征是首先在掩模板(1)基片(101)上由铬膜(102)构成图案中透光部位的空气间隙(103)内和在掩模板(1)与硅片(4)表面上光刻胶层(3)之间的空气层隙(2)内填充折射率大于掩模板(1)上基片(101)折射率的透明材料(5)，并对透明材料(5)层与硅片(4)表面上光刻胶层(3)接触或接近的表面进行抛光。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||