| 发明名称 | 用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化学气相沉积氧化硅薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在具有至少一个室的化学气相沉积系统中,在半导体基片的表面上沉积氧化物薄膜的方法,该方法包括如下步骤:向所述的室提供烷基硅氧烷前体、臭氧;并将所述的烷基硅氧烷前体与臭氧进行热反应从而在基片的表面上沉积氧化物薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1375111A | 申请公布日期 | 2002.10.16 |
| 申请号 | CN00811030.1 | 申请日期 | 2000.06.15 |
| 申请人 | ASML美国公司 | 发明人 | S·简;Z·袁 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/469 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王杰 |
| 主权项 | 1.一种在具有至少一个室的化学气相沉积(CVD)系统中，在半导体基片的表面上沉积氧化物薄膜的方法，该方法包括如下步骤：向所述的室提供具有如下通式的烷基硅氧烷前体： (CH3)3Si[OSi(CH3)2]n OSi(CH3)3 其中n为1或2；向所述的室提供臭氧；和将所述的烷基硅氧烷前体与臭氧进行热反应从而在基片的表面上沉积氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||