| 主权项 |
1.一种记忆体装置,包含:至少一对有间隔的导体;以及在该对导体之间的一铁电材料,该对导体系间隔一个足以让一穿隧电流流经其间之距离。2.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该对导体的每一导体是一金属电极,该金属电极包括自包含铝、金、银、铜、及这些金属之合金的一组金属中选出的至少一种金属。3.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该对导体沿着一水平方向分隔约1奈米至约100奈米之一距离。4.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该对导体沿着一水平方向分隔约3奈米至约30奈米之一距离。5.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该对导体系配置在同一平面。6.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中系沿着一垂直方向将该对导体分隔最多约10奈米的一距离。7.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该铁电材料包含在该对导体之间的至少一个铁电晶体。8.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该铁电材料包括自包含钛酸钡、钛酸铅、铌酸钾、三甘胺酸硫酸盐、罗谢尔盐、及铌酸铅铁的一组材料中选出的至少一种材料。9.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该铁电材料之居里温度为约摄氏23度至约摄氏490度。10.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中切换该铁电材料的一电偶极所需之一电压为约100毫伏至约10000毫伏。11.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于切换该铁电材料的一电偶极所需之该电压。12.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于切换该铁电材料的一电偶极所需之该电压之大约一半。13.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于约10毫伏。14.如申请专利范围第1项之记忆体装置,进一步包含:介质材料,该介质材料之介质常数为约1至约10,且该介质材料围绕该对导体及该铁电材料。15.如申请专利范围第14项之记忆体装置,其中该介质材料包括自包含空气、氮化矽、氧化铝、及二氧化矽的一组材料中选出的至少一种材料。16.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该铁电材料的厚度小于约10奈米。17.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中在该对导体之间施加一偏压,即可在该铁电材料中感应一残余极化,而该偏压系足以产生一个高于该铁电材料的一矫顽电场之电场。18.如申请专利范围第1项之记忆体装置,其中于施加该偏压时局部加热,亦可感应一残余极化。19.如申请专利范围第17项之记忆体装置,其中改变该等导体间的该偏压之正负性,即可反转该残余极化。20.如申请专利范围第17项之记忆体装置,其中反转该残余极化的该电压代表一写入偏压。21.如申请专利范围第11项之记忆体装置,其中当该读取电压系反向平行于因在该对导体之间施加一偏压而在该铁电材料中感应的一残余极化时,该穿隧电流是较大的。22.如申请专利范围第11项之记忆体装置,其中当该读取电压系平行于因在该对导体之间施加一偏压而在该铁电材料中感应的一残余极化时,该穿隧电流是较小的。23.如申请专利范围第1项之记忆体装置,进一步包含:延伸于该对导体之间的至少一个有机分子,其中该铁电材料系连接到该有机分子。24.如申请专利范围第23项之记忆体装置,其中该有机分子包含至少一个DNA分子。25.如申请专利范围第24项之记忆体装置,其中该有机分子进一步包含连接到该等至少一个DNA分子上的至少一个位置之至少一个寡聚物。26.如申请专利范围第24项之记忆体装置,其中该有机分子进一步包含一单层的连接到该等至少一个DNA分子的至少一部分之寡聚物。27.如申请专利范围第23项之记忆体装置,其中该等至少一个DNA分子是双股的,并包含至少一个R环,该记忆体装置进一步包含:连接到该等至少一个R环中的至少一个核酸之至少一个化学分子的某部分,其中该等至少一个化学分子的某部分包含该铁电材料。28.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分系连接到该等至少一个R环中的至少一个所选择之核酸。29.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中系由至少一个氢键将该等至少一个化学分子的某部分连接到该等至少一个R环中之至少一个核酸。30.如申请专利范围第28项之记忆体装置,其中系由至少一个共价键将该等至少一个化学分子的某部分连接到该等至少一个R环中之至少一个核酸。31.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中系以至少一个氢键或至少一个共价键将该等至少一个化学分子的某部分连接到该等至少一个R环中之至少一个核酸。32.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个核酸。33.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少两个不同的分子的某部分。34.如申请专利范围第33项之记忆体装置,其中该等至少一个分子的某部分可接合到该等至少一个R环中之至少一个核酸。35.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个酸及至少一个醇。36.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分系连接到该等至少一个DNA分子中该R环内的至少一个醯胺基。37.如申请专利范围第32项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含两个核酸。38.如申请专利范围第32项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含鸟嘌呤及胞嘧啶、或胸腺嘧啶及腺嘌呤。39.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个连接到该R环内的至少一个核酸之毫微粒子,该毫微粒子提供该铁电材料。40.如申请专利范围第39项之记忆体装置,其中该等至少一个毫微粒子之最大宽度系小于约10奈米。41.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中该DNA是-DNA。42.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度约为10至1500个硷基。43.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度约为30至300个硷基。44.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度为约3奈米至约500奈米。45.如申请专利范围第27项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度为约10奈米至约100奈米。46.如申请专利范围第1项之记忆体装置,进一步包含:在一基材上沿着一第一方向延伸的复数个第一平行导体。47.如申请专利范围第1项之记忆体装置,进一步包含:与该等第一平行导体部分重叠的复数个第二平行导体,且该等复数个第二平行导体系在该基材及该等第一平行导体上沿着与该等第一平行导体垂直的一第二方向而延伸,其中该铁电材料系配置在该等第一平行导体与该等第二平行导体之间。48.如申请专利范围第47项之记忆体装置,进一步包含:在该基材与该等第一平行导体及该等第二平行导体之间的一黏着层,其中该等第一平行导体及该等第二平行导体与该基材部分重叠。49.如申请专利范围第47项之记忆体装置,其中该黏着层包括自包含铬及钛的一组金属中选出的至少一种金属。50.如申请专利范围第47项之记忆体装置,其中该基材是玻璃或陶瓷。51.如申请专利范围第47项之记忆体装置,其中该等第一平行导体及该等第二平行导体之宽度为约50奈米至约5000奈米。52.如申请专利范围第47项之记忆体装置,其中该等第一平行导体相互分隔约50奈米至约5000奈米之一距离,且该等第二平行导体相互分隔约50奈米至约5000奈米之一距离。53.如申请专利范围第46项之记忆体装置,其中该等第一平行导体之间系相互等距。54.如申请专利范围第47项之记忆体装置,其中该等第二平行导体之间系相互等距。55.如申请专利范围第46项之记忆体装置,进一步包含:延伸遍及复数个该等第一导体之一个双股DNA分子,该DNA分子包含一个在复数个该等第一导体之上的R环;以及连接到复数个R环中的至少一个核酸之至少一个化学分子的某部分。56.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分系连接到该等R环中的至少一个所选择之核酸。57.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中系由自包含氢键及共价键的一组键中选出的至少一个键将该等化学分子的某部分连接到该等R环中的至少一个核酸。58.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分包含至少一个核酸。59.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分包含至少两个不同的分子的某部分。60.如申请专利范围第59项之记忆体装置,其中该等至少一个分子的某部分可接合到该等R环中之至少一个核酸。61.如申请专利范围第59项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分包含至少一个酸及至少一个醇。62.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分系连接到该等至少一个DNA分子中该R环内的至少一个醯胺基。63.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分分别包含两个核酸。64.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分分别包含鸟嘌呤及胞嘧啶、或胸腺嘧啶及腺嘌呤。65.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等化学分子的某部分包含至少一个连接到该R环内的至少一个核酸之毫微粒子,该毫微粒子提供该铁电材料。66.如申请专利范围第65项之记忆体装置,其中该等至少一个毫微粒子之最大宽度系小于约10奈米。67.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该DNA是-DNA。68.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度约为10至1500个硷基。69.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度约为30至300个硷基。70.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度为约3奈米至约500奈米71.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中形成该R环之RNA之长度为约10奈米至约100奈米。72.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该DNA分子包含固定到两个该等导体之若干末端,该记忆体装置进一步包含:一个接合到该DNA分子所固定的该等导体的一表面之有机分子。73.如申请专利范围第72项之记忆体装置,其中该DNA分子包含若干固定到该等固定导体之黏着末端。74.如申请专利范围第73项之记忆体装置,其中接合到该DNA分子所固定的该等导体的该表面之该有机分子是DNA。75.如申请专利范围第74项之记忆体装置,其中接合到该DNA分子所固定的该等导体的该表面之该DNA分子是以硫为末端且为单股。76.如申请专利范围第74项之记忆体装置,其中接合到一第一固定导体的该DNA分子之排列顺序与接合到一第二导体的该DNA分子之排列顺序不同。77.如申请专利范围第74项之记忆体装置,其中接合到该等固定导体的该等DNA分子包含自约五个至约二十个硷基对。78.如申请专利范围第74项之记忆体装置,其中延伸于该等固定导体间之该DNA分子包含若干与接合到该等固定导体的该表面的该等DNA分子混成之黏着末端。79.如申请专利范围第55项之记忆体装置,进一步包含:配置在该等R环与该等导体之间的一黏着促进剂。80.如申请专利范围第79项之记忆体装置,其中该黏着促进剂是一个包含一在一第一末端接触该等导体之硫原子、及一在一第二末端接触该DNA分子之氢氧基。81.如申请专利范围第72项之记忆体装置,其中系由金或含金合金构成该等固定导体。82.如申请专利范围第23项之记忆体装置,进一步包含:在该有机分子上且延伸于该第一电极与该第二电极之间的一导电材料。83.如申请专利范围第24项之记忆体装置,进一步包含:在该DNA分子上的一导电材料。84.如申请专利范围第27项之记忆体装置,进一步包含:在该DNA分子上的一导电材料。85.如申请专利范围第84项之记忆体装置,其中该导电材料包含接合到该DNA分子的各磷酸盐基之若干银离子。86.如申请专利范围第84项之记忆体装置,其中该导电材料包含在该DNA分子上的金属银。87.如申请专利范围第79项之记忆体装置,进一步包含:连接到该毫微粒子之至少一个化学分子的某部分,用以将该毫微粒子接合到该DNA分子,其中该黏着促进剂及用来将该毫微粒子连接到该DNA的至少一个化学分子的某部分形成一穿隧间隙。88.如申请专利范围第55项之记忆体装置,进一步包含:在该DNA分子上的一导电材料。89.如申请专利范围第88项之记忆体装置,其中该导电材料包含若干接合到该DNA分子的各磷酸盐基之银离子。90.如申请专利范围第88项之记忆体装置,其中该导电材料包含在该DNA分子上的金属银。91.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该等第一平行导体之间系相互等距。92.如申请专利范围第55项之记忆体装置,其中该DNA分子系垂直于该等第一平行导体。93.一种形成一记忆体装置之方法,该方法包含下列步骤:在一基材上提供至少一对有间隔的导体;以及在该对导体之间提供一铁电材料,而该对导体系间隔一个足以让一穿隧电流流经其间之距离。94.如申请专利范围第93项之方法,进一步包含下列步骤:在该基材上提供复数个有间隔的导体:以及在该等有间隔的导体之间提供铁电材料。95.如申请专利范围第94项之方法,其中该等复数个有间隔的导体包含复数个第一平行导体、及垂直于该等第一平行导体之复数个第二平行导体。96.如申请专利范围第95项之方法,其中部分的该等第二导体重叠部分的该等第一导体。97.如申请专利范围第96项之方法,其中该铁电材料系沈积在该等第一导体与该等第二导体重叠的区域。98.如申请专利范围第95项之方法,其中该方法进一步包含根据下列步骤而提供该等导体:在一基材上提供一黏着层;在该黏着层上提供一第一金属层;在该第一金属层上形成一第一光阻层;使该第一光阻层曝光;使该第一光阻层显影;蚀刻该第一金属层及该黏着层,以便形成该等第一平行导体;剥除该第一光阻层;蚀刻该第一金属层及该黏着层,而在该经过蚀刻的第一金属层及该露出的基材之其余部分上提供一铁电材料层;在该铁电材料层上提供一第二金属层;提供一第二光阻层;使该第二光阻层曝光;使该第二光阻层显影;蚀刻该第二金属层;以及剥除该第二光阻层。99.如申请专利范围第95项之方法,其中该等第一导体之间系间隔一相等距离。100.如申请专利范围第95项之方法,其中该等第二导体之间系间隔一相等距离。101.如申请专利范围第95项之方法,其中该基材是玻璃或陶瓷。102.如申请专利范围第98项之方法,其中该黏着层是铬或钛。103.如申请专利范围第93项之方法,其中系以自包含铜、银、铝、金、及这些金属之合金的一组金属中选出的至少一种金属制成该等导体。104.如申请专利范围第95项之方法,其中系以约50奈米至约5000奈米的宽度形成该等第一平行导体及该等第二平行导体。105.如申请专利范围第95项之方法,其中系以相互之间分隔约50奈米至约5000奈米的一距离而形成该等第一平行导体,且系以相互之间分隔约50奈米至约5000奈米的一距离而形成该等第二平行导体。106.如申请专利范围第93项之方法,其中系以沿着一水平方向分隔约1奈米至约100奈米之一距离而形成该等导体。107.如申请专利范围第93项之方法,其中系以沿着一水平方向分隔约3奈米至约30奈米之一距离而形成该等导体。108.如申请专利范围第93项之方法,其中系在一个平面上形成该等导体。109.如申请专利范围第93项之方法,其中系以沿着一垂直方向分隔约0奈米至约10奈米之一距离而形成该等导体。110.如申请专利范围第93项之方法,其中提供该铁电材料包含在该对导体之间提供至少一个铁电晶体。111.如申请专利范围第93项之方法,其中提供该铁电材料包含提供自包含钛酸钡、钛酸铅、铌酸钾、三甘胺酸硫酸盐、罗谢尔盐、及铌酸铅铁的一组材料中选出的至少一种材料。112.如申请专利范围第93项之方法,其中该铁电材料之居里温度为约摄氏23度至约摄氏490度。113.如申请专利范围第93项之方法,其中切换该铁电材料的一电偶极所需之一电压为约100毫伏至约10000毫伏。114.如申请专利范围第93项之方法,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于切换该铁电材料的一电偶极所需之该电压。115.如申请专利范围第93项之方法,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于切换该铁电材料的一电偶极所需之该电压之大约一半。116.如申请专利范围第93项之方法,其中量测因施加读取电压于该对导体两端而产生的穿隧电流而得到的读取该记忆体装置所需之一电压小于约10毫伏。117.如申请专利范围第93项之方法,进一步包含下列步骤:提供介质常数为约1至约10之介质材料,且该介质材料围绕该对导体及该铁电材料。118.如申请专利范围第117项之方法,其中该介质材料包括自包含空气、氮化矽、氧化铝、及二氧化矽的一组材料中选出的至少一种材料。119.如申请专利范围第93项之方法,其中该铁电材料的厚度小于约10奈米。120.如申请专利范围第93项之方法,其中在该对导体之间施加一偏压,即可在该铁电材料中感应一残余极化,而该偏压系足以产生一个高于该铁电材料的一矫顽电场之电场。121.如申请专利范围第93项之方法,其中于施加该偏压时局部加热,亦可感应一残余极化。122.如申请专利范围第120项之方法,其中改变该等导体间的该偏压之正负,即可反转该残余极化。123.如申请专利范围第120项之方法,其中反转该残余极化的该电压代表一写入偏压。124.如申请专利范围第114项之方法,其中当该读取电压系反向平行于因在该对导体之间施加一偏压而在该铁电材料中感应的一残余极化时,该穿隧电流是较大的。125.如申请专利范围第114项之方法,其中当该读取电压系平行于因在该对导体之间施加一偏压而在该铁电材料中感应的一残余极化时,该穿隧电流是较小的。126.如申请专利范围第93项之方法,进一步包含下列步骤:提供延伸于该对导体之间的至少一个有机分子,其中该铁电材料系连接到该有机分子。127.如申请专利范围第126项之方法,其中提供该有机分子之该步骤包含下列步骤:在该等导体之间延伸至少一个DNA分子。128.如申请专利范围第127项之方法,其中提供该有机分子之该步骤进一步包含下列步骤:将至少一个寡聚物连接到该等至少一个DNA分子上的至少一个位置。129.如申请专利范围第127项之方法,其中提供该有机分子之该步骤进一步包含下列步骤:将一单层的寡聚物连接到该等至少一个DNA分子的至少一部分。130.如申请专利范围第126项之方法,其中该等至少一个DNA分子是双股的,且该方法进一步包含下列步骤:在该DNA分子中形成至少一个R环;以及将至少一个化学分子的某部分连接到该等至少一个R环中的至少一个核酸,其中该等至少一个化学分子的某部分包含该铁电材料。131.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分系连接到该等至少一个R环中的至少一个所选择之核酸。132.如申请专利范围第130项之方法,其中系以自包含若干氢键及若干共价键的一组键中选出的至少一个键将该等至少一个化学分子的某部分连接到该等至少一个R环中之至少一个核酸。133.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个核酸。134.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少两个不同的分子的某部分。135.如申请专利范围第134项之方法,其中该等至少一个分子的某部分可接合到该等至少一个R环中之至少一个核酸。136.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个酸及至少一个醇。137.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分系连接到该等至少一个DNA分子中该R环内的至少一个醯胺基。138.如申请专利范围第133项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含两个核酸。139.如申请专利范围第133项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含鸟嘌呤及胞嘧啶、或胸腺嘧啶及腺噤呤。140.如申请专利范围第130项之方法,其中该等至少一个化学分子的某部分包含至少一个连接到该R环内的至少一个核酸之毫微粒子,该亳微粒子提供该铁电材料。141.如申请专利范围第140项之方法,其中该等至少一个毫微粒子之最大宽度系小于约10奈米。142.如申请专利范围第130项之方法,其中该DNA是-DNA。143.如申请专利范围第130项之方法,其中形成该R环之RNA之长度约为10至1500个硷基。144.如申请专利范围第130项之方法,其中形成该R环之RNA之长度约为30至300个硷基。145.如申请专利范围第130项之方法,其中形成该R环之RNA之长度为约3奈米至约500奈米。146.如申请专利范围第130项之方法,其中形成该R环之RNA之长度为约10奈米至约100奈米。147.如申请专利范围第93项之方法,进一步包含下列步骤:提供在一基材上沿着一第一方向延伸的复数个第一平行导体。148.如申请专利范围第93项之方法,进一步包含下列步骤:提供与该等第一平行导体部分重叠的复数个第二平行导体,且该等复数个第二平行导体系在该基材及该等第一平行导体上沿着与该等第一平行导体垂直的一第二方向而延伸,其中该铁电材料系配置在该等第一平行导体与该等第二平行导体之间。149.如申请专利范围第148项之方法,进一步包含下列步骤:在该基材与该等第一平行导体及该等第二平行导体之间提供一黏着层,其中该等第一平行导体及该等第二平行导体与该基材部分重整。150.如申请专利范围第149项之方法,其中该黏着层包括自包含铬及钛的一组金属中选出的至少一种金属。151.如申请专利范围第147项之方法,其中该基材是玻璃或陶瓷。152.如申请专利范围第148项之方法,其中该等第一平行导体及该等第二平行导体之宽度为约50奈米至约5000奈米。153.如申请专利范围第148项之方法,其中该等第一平行导体相互分隔约50奈米至约5000奈米之一距离,且该等第二平行导体相互分隔约50奈米至约5000奈米之一距离。154.如申请专利范围第147项之方法,其中该等第一平行导体之间系相互等距。155.如申请专利范围第148项之方法,其中该等第二平行导体之间系相互等距。156.如申请专利范围第147项之方法,进一步包含下列步骤:将一个双股DNA分子延伸遍及复数个该等第一导体;在复数个该等第一导体之上形成该DNA分子中之一R环;以及将至少一个化学分子的某部分连接到复数个R环中之至少一个核酸。157.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分系连接到该等R环中的至少一个所选择之核酸。158.如申请专利范围第156项之方法,其中系由自包含氢键及共价键的一组键中选出的至少一个键将该等化学分子的某部分连接到该等R环中的至少一个核酸。159.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分包含至少一个核酸。160.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分包含至少两个不同的分子的某部分。161.如申请专利范围第160项之方法,其中该等至少一个分子的某部分可接合到该等R环中之至少一个核酸。162.如申请专利范围第160项之方法,其中该等化学分子的某部分包含至少一个酸及至少一个醇。163.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分系连接到该等至少一个DNA分子中该R环内的至少一个醯胺基。164.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分分别包含两个核酸。165.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分分别包含鸟嘌呤及胞嘧啶、或胸腺嘧啶及腺嘌呤。166.如申请专利范围第156项之方法,其中该等化学分子的某部分包含至少一个连接到该R环内的至少一个核酸之毫微粒子,该毫微粒子提供该铁电材料。167.如申请专利范围第166项之方法,其中该等至少一个毫微粒子之最大宽度系小于约10奈米。168.如申请专利范围第156项之方法,其中该DNA是-DNA。169.如申请专利范围第156项之方法,其中形成该R环之RNA之长度约为10至1500个硷基。170.如申请专利范围第156项之方法,其中形成该R环之RNA之长度约为30至300个硷基。171.如申请专利范围第156项之方法,其中形成该R环之RNA之长度为约3奈米至约500奈米。172.如申请专利范围第156项之方法,其中形成该R环之RNA之长度为约10奈米至约100奈米。173.如申请专利范围第156项之方法,其中该DNA分子包含固定到两个该等导体之若干未端,该方法进一步包含下列步骤:将一有机分子连接到该DNA分子所固定的该等导体的一表面。174.如申请专利范围第173项之方法,其中该DNA分子包含若干固定到该等固定导体之黏着末端。175.如申请专利范围第174项之方法,其中接合到该DNA分子所固定的该等导体的该表面之该有机分子是DNA。176.如申请专利范围第175项之方法,其中接合到该DNA分子所固定的该等导体的该表面之该DNA分子是以硫为末端且为单股。177.如申请专利范围第175项之方法,其中接合到一第一固定导体的该DNA分子之排列顺序与接合到一第二导体的该DNA分子之排列顺序不同。178.如申请专利范围第175项之方法,其中接合到该等固定导体的该等DNA分子包含自约五个至约二十个硷基对。179.如申请专利范围第175项之方法,其中延伸于该等固定导体间之该DNA分子包含若干与接合到该等固定导体的该表面的该等DNA分子混成之黏着末端。180.如申请专利范围第156项之方法,进一步包含下列步骤:在该等R环与该等导体之间配置一黏着促进剂。181.如申请专利范围第180项之方法,其中该黏着促进剂是一个包含一在一第一末端接触该等导体之硫原子、及一在一第二末端接触该DNA分子之氢氧基。182.如申请专利范围第173项之方法,其中系由金或含金合金构成该等固定导体。183.如申请专利范围第126项之方法,进一步包含下列步骤:提供在该有机分子上且延伸于该第一电极与该第二电极之间的一导电材料。184.如申请专利范围第127项之方法,进一步包含下列步骤:提供在该DNA分子上的一导电材料。185.如申请专利范围第130项之方法,进一步包含下列步骤:提供在该DNA分子上的一导电材料。186.如申请专利范围第185项之方法,其中该导电材料包含接合到该DNA分子的各磷酸盐基之若干银离子。187.如申请专利范围第185项之方法,其中该导电材料包含在该DNA分子上的金属银。188.如申请专利范围第180项之方法,进一步包含下列步骤:将至少一个化学分子的某部分连接到该毫微粒子,以便将该毫微粒子接合到该DNA分子,其中该黏着促进剂及用来将该毫微粒子连接到该DNA的至少一个化学分子的某部分形成一穿隧间隙。189.如申请专利范围第156项之方法,进一步包含下列步骤:提供在该DNA分子上的一导电材料。190.如申请专利范围第189项之方法,其中该导电材料包含若干接合到该DNA分子的各磷酸盐基之银离子。191.如申请专利范围第189项之方法,其中该导电材料包含在该DNA分子上的金属银。192.如申请专利范围第156项之方法,其中该等第一平行导体之间系相互等距。193.如申请专利范围第156项之方法,其中该DNA分子系垂直于该等第一平行导体。图式简单说明:图1是根据本发明的一铁电储存装置实施例之横断面图;图2a、图2b、及图2c根据本发明的一铁电储存装置实施例工作情形之横断面图;图3a、图3b、图3c、及图3d是用来形成根据本发明的一铁电储存装置的一制程实施例各阶段之横断面图;图4是根据本发明的一铁电储存装置实施例之上视图;图5是根据本发明的一铁电储存装置的另一实施例之横断面图;图6是图5所示本发明该实施例的一部分之放大横断面图;图7是图6所示本发明的该实施例在经过进一步的处理之后的横断面图;图8示出可根据本发明而使用的一DNA分子实施例;以及图9-11是根据本发明的一装置实施例在根据本发明的一制程实施例的各阶段之横断面图。 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