| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其包含: 第一步骤,以内部凸块形成于每一插入物中片状绝 缘体之一主要表面上之方式,形成对应于个别装置 单元之插入物,; 第二步骤,固定该插入物于半导体晶圆之半导体积 体电路晶片中之个别良好半导体积体电路晶片上, 并连接每一插入物中之内部凸块,至相关良好半导 体积体电路晶片之电极;以及 第三步骤,切割半导体晶圆成为半导体积体电路晶 片,以制造半导体装置,在每一该半导体装置中,一 良好半导体积体电路晶片封装于插入物上。2.如 申请专利范围第1项之制造方法,其中第一步骤进 一步包含在片状绝缘体之其他主要表面上,形成外 部连接终端,以便外部连接终端可透过线路,电性 连接至个别内部凸块。3.如申请专利范围第1项之 制造方法,其进一步包含第二步骤后之一步骤,形 成外部连接终端于每一插入物之片状绝缘体之其 他主要表面上,以便外部连接终端可透过线路,电 性连接至个别内部凸块。4.如申请专利范围第1项 之制造方法,其进一步包含第三步骤后之一步骤, 形成外部连接终端于每一插入物之片状绝缘体之 其他主要表面上,以便外部连接终端可透过线路, 电性连接至个别内部凸块。5.如申请专利范围第1 项之制造方法,其中第二步骤进一步透过预先应用 在每一插入物之片状绝缘体之一主要表面上的黏 胶,在插入物固定于个别良好半导体积体电路晶片 上时,将插入物与半导体晶圆之个别良好半导体积 体电路晶片接合。6.如申请专利范围第1项之制造 方法,其中黏胶填入每一插入物与相关良好半导体 积体电路晶片之间的间隙中。图式简单说明: 图1A至1C为一插入物之断面图、上视图、以及底视 图,其显示依据本发明具体实施例,LGA半导体装置 制造方法之第一步骤; 图2至6为流程图示,其显示依据本发明之具体实施 例,LGA半导体装置之制造方法之其他步骤; 图7至13为流程图示,其显示半导体装置之第一种传 统制造方法; 图14至17为流程图示,其显示半导体装置之第二种 传统制造方法;以及 图18A与18B至图23为流程图示,其显示半导体装置之 第三种传统制造方法。 |
