| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé destiné à former une isolation LOCOS dans un dispositif CMOS silicium sur isolant (SOI). Le SOI comporte une couche de silicium supérieure, une couche de silicium inférieure, et une couche d'isolation située entre les couches supérieure et inférieure. Une couche d'oxyde est formée sur la couche de silicium supérieure, et une couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression est déposée sur la couche d'oxyde. Une résine photosensible est déposée sur la couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression qui expose une zone localisée de ladite couche. Cette couche de dépôt en phase vapeur de substances chimiques à basse pression et la couche d'oxyde sont enlevées par gravure à travers la zone localisée afin d'exposer la couche de silicium supérieure. Le silicium de la couche de silicium supérieure est gravé de manière à former un retrait dans ladite couche. La résine photosensible est retirée et on fait croître un oxyde d'isolement dans le retrait de sorte que le silicium contenu dans ce retrait soit complètement oxydé.</p> |
