Verfahren zur Ausbildung einer Wolframsilizidschicht

摘要

Es wird ein Halbleitersubstrat mit einer Polysiliziumschicht in eine Prozeßkammer einer plasmaunterstützten chemischen Dampfniederschlagsvorrichtung geladen. Ein Siliziumquellengas, ein Wolframquellengas und ein Wasserstoffverbindungsgas zum Reduzieren einer Chlorradikalen werden in die Prozeßkammer eingeleitet, um dadurch die Wolframsilizidschicht auf der Polysiliziumschicht niederzuschlagen. Die Chlorradikale des Siliziumquellengases wird in Wasserstoffchlorid durch das Wasserstoffverbindungsgas reduziert und wird zusammen mit einem Abgas entfernt.