| 发明名称 | 多晶半导体层的制造方法及激光退火装置 | ||
| 摘要 | 利用激光进行的多晶化退火,在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时,在常温下使退火室形成低真空(1.3×10<SUP>3</SUP>Pa～1.3Pa)。另外,该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空,所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高,另一方面,与高真空不同的是室窗120的粘污少,从而能够提高生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN1372309A | 申请公布日期 | 2002.10.02 |
| 申请号 | CN02105188.7 | 申请日期 | 2002.02.22 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 萩野隆志;今尾和博;胁田贤;门前俊夫;尾方秀谦;中西史朗;森本佳宏 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/477 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种多晶半导体层的制造方法，对非结晶半导体层进行激光退火、制造多晶半导体层，其特征在于：上述退火在低真空气氛下进行。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||