发明名称 Short-circuit resistant IGBT module
摘要 <p>Eine elektrisch leitende Schicht (7), welche ein mit dem Material des Halbleiterchips (4) ein Eutektikum bildendes Material enthält und in unmittelbarem Kontakt zu einer oder beiden Hauptelektroden (5, 6) des Halbleiterchips (4) steht, ist als ein Bündel aus geraden und im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Drähten ausgebildet. Diese Schicht ermöglicht im Schadensfall einen stabilen Kurzschluss und dient im Betriebszustand als thermischen Spannungsentlastungspuffer. <IMAGE></p>
申请公布号 EP1246242(A1) 申请公布日期 2002.10.02
申请号 EP20010810302 申请日期 2001.03.26
申请人 ABB RESEARCH LTD. 发明人 KNAPP, WOLFGANG;OVREN, CHRISTER;SCHNEIDER, DANIEL
分类号 H01L23/051;H01L23/488;(IPC1-7):H01L23/488 主分类号 H01L23/051
代理机构 代理人
主权项
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