发明名称 |
Short-circuit resistant IGBT module |
摘要 |
<p>Eine elektrisch leitende Schicht (7), welche ein mit dem Material des Halbleiterchips (4) ein Eutektikum bildendes Material enthält und in unmittelbarem Kontakt zu einer oder beiden Hauptelektroden (5, 6) des Halbleiterchips (4) steht, ist als ein Bündel aus geraden und im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Drähten ausgebildet. Diese Schicht ermöglicht im Schadensfall einen stabilen Kurzschluss und dient im Betriebszustand als thermischen Spannungsentlastungspuffer. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP1246242(A1) |
申请公布日期 |
2002.10.02 |
申请号 |
EP20010810302 |
申请日期 |
2001.03.26 |
申请人 |
ABB RESEARCH LTD. |
发明人 |
KNAPP, WOLFGANG;OVREN, CHRISTER;SCHNEIDER, DANIEL |
分类号 |
H01L23/051;H01L23/488;(IPC1-7):H01L23/488 |
主分类号 |
H01L23/051 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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