| 摘要 |
<p>PN 접합이 광 기전력 효과(photovoltaic effect)를 유도할 수 있는 광에 노출되는 것을 제거하고/하거나 광 기전력 효과에 의해 유도된 산화 반응(oxidation reaction) 및 환원 반응(reduction reaction)을 억제함으로써, 전기분해에 의해 반도체 디바이스상의 금속 성분이 전기화학적 용해되는 것을 방지한다. 웨이퍼 CMP, 브러쉬 세정(brush cleaning), 언로딩(unloading) 및 린싱(rinsing)용 툴(tool)상에서 이용하는 차광 장치(darkened enclose)는 노출을 제한한다. 이와 달리, 반도체 웨이퍼의 조사(illumination)는 광 기전력 효과를 유도하기에 충분한 에너지를 공급하지 않는 광의 파장으로 제한될 수 있다. CMP 슬러리(slurry) 및/또는 포스트(post)-CMP 물 린스(water rinse)에서의 억제제(inhibitor)는 산화 반응 및/또는 환원 반응을 방해한다. 고 분자량 계면 활성제와 같은 차단제(blocking agent)는 금속 표면에서 산화 반응 및 환원 반응을 모두 방해한다. 또한, 반응 저지제(poisoning agent)는 전기분해의 환원 부분을 방해한다.</p> |
