| 摘要 |
Eine Simulationsschaltung für MOS-Transistoren ist vorgeschlagen, in der weder eine Oszillation noch eine Änderung in der Charakteristik der Feedback-Kapazität auftritt. Das auftretende Verhältnis der Sperrschichtkapazität-Charakteristik einer dritten Diode und der elektrostatischen Kapazitätscharakteristik eines Kondensators ändert sich in Reaktion auf die Änderung in der Spannung zwischen Drain und Gate, und die Sperrschichtkapazitätscharakteristik der dritten Diode und die elektrostatische Kapazitätscharakteristik des Kondensators entfalten sich in einem gleichen Verhältnis in einem Bereich, in dem die Spannung zwischen Drain und Gate fast 0 (null) V ist und deshalb kann eine normale Simulationsprüfung ausgeführt werden und es tritt keine Oszillation auf. Darüber hinaus gibt es keine Zeitkonstante, da keine Widerstandskomponente in Serie in der dritten Diode und dem Kondensator geschaltet ist. Deshalb ist es möglich, daß man normalerweise eine Charakteristik-Kurve der Rückkopplungskapazität unabhängig von der Änderungsrate der Spannung zwischen Drain und Gate erhält. |
