| 主权项 |
1.一种保护熔丝之晶圆级封装制程,其步骤包含:提供一晶圆,该晶圆一体成型包含有复数个晶片,每一晶片具有复数个焊垫、复数个熔丝以及至少一绝缘层,该绝缘层系裸露该焊垫并且形成有在熔丝上方之凹穴;沉积一保护性金属层于该凹穴;形成凸块于该焊垫;移除该保护性金属层;测试晶圆,以分析出是否有仍可修补之不良品;雷射修补,系以雷射照射在凹穴下之熔丝;及切割晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中在沉积一保护性金属层之步骤中,该保护性金属层系选自钛、铬或镍。3.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中在形成凸块之前,先形成一凸块下金属层[UBM]。4.如申请专利范围第3项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中系以气相沉积或溅镀[sputter]形成一凸块下金属层[UBM层]。5.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中系以电镀形成凸块。6.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中在测试晶圆之前,预烧该晶圆。7.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中在测试晶圆之过程中,同时平行预烧该晶圆。8.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其中在提供一晶圆之过程中,每一晶片之复数个焊垫系呈矩阵排列。9.如申请专利范围第1项所述之保护熔丝之晶圆级封装制程,其另包含步骤有:在雷射修补后,测试该晶圆,以分类晶片。图式简单说明:第1图:本发明保护熔丝之晶圆级封装制程之方块流程图;第2图:依本发明保护熔丝之晶圆级封装制程,所提供晶圆之部份截面示意图;第3图:依本发明保护熔丝之晶圆级封装制程,沉积保护金属层之部份截面示意图;第4图:依本发明保护熔丝之晶圆级封装制程,形成凸块下金属层之部份截面示意图;第5图:依本发明保护熔丝之晶圆级封装制程,形成凸块之部份截面示意图;第6图:依本发明保护熔丝之晶圆级封装制程,在移除凸块下金属层及雷射修补之部份截面示意图;及第7图:美国专利第5,729,041号「运用于半导体积体电路一种熔丝窗口防护之保护膜」之截面示意图。 |
