| 主权项 |
1.一种边缘耦合型检光器,包括了一单晶磷化铟基板,并利用磊晶技术于此基板上所形成之半导体层;而自基板以上为n+型InP半导体层、n-型InGaAs半导体光吸收层以及n-型InP半导体层,并以选择区域扩散形成p+型之半导体区;且区域的选择是藉由在电浆增强化学汽相沈积之氮化矽扩散遮罩上以蚀刻方式形成扩散窗,接着以微影技术定义出p型金属区域,再依次镀以铬、金锌合金、金、铬等金属;经p型金属蒸镀后,即以其为蚀刻遮罩,进行光耦合面的制作,首先采用乾式蚀刻,先后移除半导体层上方的SiNx层以及半导体层n-型InP、n-型InGaAs半导体和部分n+型InP半导体层,乾式蚀刻后再用湿式蚀刻,以得到适当的厚度;最后利用PECVD沈积SiNx介电质层于整个晶圆上作为光耦合面上的抗反射层以及整个元件的钝化保护层。2.如申请专利范围第1项所述之边缘耦合型检光器,其中该p型金属最上层镀有较硬之金属。3.如申请专利范围第2项所述之边缘耦合型检光器,其中该较硬之金属可为铬。4.如申请专利范围第1项所述之边缘耦合型检光器,其中蚀刻SiNx,系使用CF4.O2等气体。5.如申请专利范围第1项所述之边缘耦合型检光器,其中蚀刻InP半导体,系使用CH4.H2.Ar等气体。6.如申请专利范围第1项所述之边缘耦合型检光器,其中该而蚀刻InGaAS半导体,系使用CH4.H2.Ar等气体。7.如申请专利范围第1项所述之边缘耦合型检光器,其中该湿式蚀刻,系采用H3PO4:H2O2:H2O的溶液进行蚀刻。图式简单说明:图一(a)为一平台式边缘耦合型检光器之劈裂简视图;图一(b)为一选择区域扩散式边缘耦合型检光器之劈裂简视图;图一(c)为选择性扩散式元件之实施例图;图二(a)为本发明较佳实施例之边缘耦合型检光器经选择区域扩散后之简示图;图二(b)为本发明较佳实施例之边缘耦合型检光器经p型金属蒸镀后之简示图;图二(c)为本发明较佳实施例之边缘耦合型检光器经乾湿混用蚀刻制程形成光耦合面后之简示图;图三(a)为显示选择区域扩散式边缘耦合型检光器经由湿式蚀刻形成光耦合面后的侧视简图;以及图三(b)为显示选择区域扩散式边缘耦合型检光器经由湿式蚀刻形成光耦合面后的上视简图。 |
