| 主权项 |
1.一种在积体电路元件制造中藉由去偶贯穿孔及金属线沟槽填充而形成坚固铜镶嵌式内导线之方法,系包括有:提供一传导层覆接于一半导体基板上;沈积一氮化矽层覆接于该传导层上;沈积一第一介电层覆接于该氮化矽层上;沈积一遮蔽层覆接于该第一介电层上;图案化该遮蔽层、该第一介电层、及氮化矽层,以形成贯穿孔沟槽,而暴露出一部份的该传导层;沈积一第一阻障层覆接于该传导层上且沿着该贯穿孔沟槽排列;以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽;研磨掉该第一铜层及该第一阻障层,以完成贯穿孔;沈积一第二阻障层覆接于该贯穿孔及该第一介电层上;图案化该第二阻障层及该遮蔽层,以形成贯穿孔盖覆接于该贯穿孔上;沈积一第二介电层覆接于该贯穿孔盖及该第一介电层上;沈积一盖层覆接于该第二介电层上;图案化该盖层及该第二介电层,以形成连接线沟槽,而暴露出一部份的贯穿孔盖;沈积一第三阻障层覆接于该盖层及该贯穿孔盖,且沿着该连接线沟槽排列;各向异性蚀刻该第三阻障层及该贯穿孔盖,以形成阻障侧壁间隔子,且沿着该连接线沟槽排列,且暴露出一部份的该第一铜层;以一第二铜层填充该连接线沟槽;及研磨掉该第二铜层,以完成在该积体电路制造中双重镶嵌式内导线的连接线。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一阻障层、该第二阻障层、及第三阻障层蚀刻每个包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该遮蔽层包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该盖层包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤、及以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有不同的方法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由化学气相沈积而沈积该第一铜层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有使用该第一铜层的该暴露部份为一晶层,及其中该第二铜层系藉由下列组群之一而电镀:电气化学电镀及无电电镀。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有沈积一乙酸盐钯晶层,及之后电镀该第二铜层,其中该电镀系藉由下列组群之一:电气化学电镀及无电电镀。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理化学气象相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀,且其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积一第一铜层、及其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学物相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第二铜层:电气化学电镀及无电电镀。13.一种在积体电路元件制造中藉由去偶贯穿孔及金属线沟槽填充而形成坚固铜镶嵌式内导线之方法,系包括有:提供一传导层覆接于一半导体基板上;沈积一氮化矽层覆接于该传导层上;沈积一第一介电层覆接于该氮化矽层上;沈积一遮蔽层覆接于该第一介电层上;图案化该遮蔽层、该第一介电层、及氮化矽层,以形成贯穿孔沟槽,而暴露出一部份的该传导层;沈积一第一阻障层覆接于该传导层上,且沿着该贯穿孔沟槽排列;以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽;研磨掉该第一铜层及该第一阻障层,以完成贯穿孔;使该第一铜层凹陷低于该贯穿孔沟槽的顶部边缘;沈积一第二阻障层覆接于该贯穿孔及该第一介电层上;研磨掉该第二阻障层,以形成贯穿孔盖覆接于该贯穿孔上;沈积一第二介电层覆接于该贯穿孔盖及该第一介电层上;沈积一盖层覆接于该第二介电层上;图案化该盖层及该第二介电层,以形成连接线沟槽,而暴露出一部份的该贯穿孔盖;沈积一第三阻障层覆接于该盖层及该贯穿孔盖上,且沿着该连接线沟槽排列;各向异性蚀刻该第三阻障层及该贯穿孔盖,以形成阻障侧壁间隔子,且沿着该连接线沟槽排列,且暴露出一部份的该第一铜层;以一第二铜层填充该连接线沟槽;及研磨掉该第二铜层,以完成在该积体电路制造中双重镶嵌式内导线的连接线。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一阻障层、该第二阻障层、及第三阻障层蚀刻包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该遮蔽层包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该盖层包括有下列组群之一:氮化钽、氮化钛、钛、钛-钨-氮化物、及由结晶及非晶氮化钽两者构成的混合的氮化钽。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤、及以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有不同的方法。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由化学气相沈积而沈积该第一铜层。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有使用该第一铜层的该暴露部份为一晶层,及其中该第二铜层系藉由下列组群之一而电镀:电气化学电镀及无电电镀。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有沈积一乙酸盐钯晶层及之后电镀该第二铜层,其中该电镀系藉由下列组群之一:电气化学电镀及无电电镀。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理化学气象相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀,且其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积一第一铜层、及其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学物相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第二铜层:电气化学电镀及无电电镀。25.一种在积体电路元件制造中藉由去偶贯穿孔及金属线沟槽填充而形成坚固铜镶嵌式内导线之方法,系包括有:提供一传导层覆接于一半导体基板上;沈积一第一介电层覆接于该传导层上;沈积一第一氮化矽层覆接于该第一介电层上;图案化该第一介电层及该第一氮化矽层,以形成贯穿孔,以暴露出一部份的该传导层;沈积一第一阻障层覆接于该第一氮化矽层及该传导层上,且沿着该贯穿孔沟槽排列;以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽;研磨掉该第一铜层及该第一氮化矽层,以完成贯穿孔;沈积一第二氮化矽层覆接于该第一氮化矽层及该贯穿孔上;沈积一第二介电层覆接于该第二氮化矽层上;沈积一第三氮化矽层覆接于该第二介电层上;图案化该第三氮化矽层及该第二介电层,以形成连接线沟槽覆接于该贯穿孔上;沈积一第二阻障层覆接于该第三氮化矽层及该第二氮化层上,且沿着该连接线沟槽排列;各向异性蚀刻该第二阻障层、该第三氮化矽层、及第二氮化矽层,以形成阻障侧壁间隔子,且沿着该连接线沟槽排列,且暴露出一部份的该第一铜层;以一第二铜层填充该连接线沟槽;及研磨掉该第二铜层,以完成在该横体电路制造中双重镶嵌式内导线的连接线。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤、及以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有不同的方法。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀。28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由化学气相沈积而沈积该第一铜层。29.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有使用该第一铜层的该暴露部份为一晶层,及其中该第二铜层系藉由下列组群之一而电镀:电气化学电镀及无电电镀。30.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,包括有沈积一乙酸盐钯晶层及之后电镀该第二铜层,其中该电镀系藉由下列组群之一:电气化学电镀及无电电镀。31.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。32.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理化学气象相沈积及化学气相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第一铜层:电气化学电镀及无电电镀,且其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积该第二铜层。33.如申请专利范围第25项所述之方法,其中以一第一铜层填充该贯穿孔沟槽的该步骤,系包括有藉由化学气相沈积而沈积一第一铜层、及其中以一第二铜层填充该连接线沟槽的该步骤,系包括有藉由下列组群之一而沈积一晶层:物理气相沈积及化学物相沈积,及之后藉由下列组群之一而电镀该第二铜层:电气化学电镀及无电电镀。图式简单说明:第1图到第3图系为一横剖面图,系说明在积体电路元件中一个局部完成习用技艺双重镶嵌式内导线。第4图到第14图系为横剖面图,系说明本发明一第一较佳实施例。第15图到第17图系为横剖面图,系说明本发明一第一较佳实施例之凹陷盖选择性。第18图到第23图系为横剖面图,系说明本发明一第二较佳实施例。 |
