发明名称 | 用于电子管的金属阴极 | ||
摘要 | 提供了一种用于电子管的间接加热式金属阴极,其包括由钼材料或钼基合金材料形成的套筒;配置在套筒上主要为铂或钯的金属发射体;以及在套筒和金属发射体之间、最好是一层薄涂层的缓冲层,在套筒表面形成的薄涂层防止了钼、即套筒的一种元素、在金属阴极操作过程中扩散进入发射体,从而也防止了操作时间增长时电子发射体性能的降低,这是由于操作中功函的增加不会发生。因此,这种阴极满足了大规模和高分辨力电子管的长期使用的需要。 | ||
申请公布号 | CN1368749A | 申请公布日期 | 2002.09.11 |
申请号 | CN01124365.1 | 申请日期 | 2001.07.26 |
申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 金润昶;朱圭楠;徐东昀;申浮澈 |
分类号 | H01J1/146;H01J1/20;H01J29/04 | 主分类号 | H01J1/146 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;钟守期 |
主权项 | 1.一种用于电子管的间接加热式金属阴极,它包括:由钼材料或基于钼的合金材料形成的套筒;安置在套筒上的金属发射体,这种金属发射体含有Pt或Pd作为主要组份;和在套筒和金属发射体之间形成的一层缓冲层。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |